[发明专利]三族氮化物垂直柱阵列衬底有效
| 申请号： | 200610093762.6 | 申请日： | 2006-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN101093867A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 赖志铭;刘文岳;蔡政达;许荣宗;果尚志;沈昌宏;林弘伟 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 垂直 阵列 衬底 | ||
1.一种三族氮化物垂直柱阵列衬底，包括：
衬底；
缓冲层，位于该衬底上方；以及
垂直柱阵列层，位于该缓冲层上，其中该垂直柱阵列层是由多个立于该缓冲层上的垂直柱组成。
2.如权利要求1所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，其中每一该些垂直柱的材料包括三族氮化物。
3.如权利要求1所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，其中每一该些垂直柱的材料包括氮化镓。
4.如权利要求1所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，其中该缓冲层是复合层。
5.如权利要求4所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，其中该复合层的材料包括氮化硅/三族氮化物。
6.如权利要求4所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，其中该缓冲层的厚度约为1～60纳米。
7.如权利要求1所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，其中该缓冲层的材料包括氮化硅。
8.如权利要求7所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，其中该缓冲层的厚度约小于10纳米。
9.如权利要求1所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，其中每一该些垂直柱的截面直径约为60～150纳米。
10.如权利要求1所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底还包括位于该垂直柱阵列层上的三族氮化物层。
11.如权利要求1所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，其中该垂直柱阵列层的厚度约为10纳米～5微米。
12.如权利要求1所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，其中该垂直柱阵列层中该些垂直柱的分布密度约在109/cm2～1012/cm2之间。
13.一种三族氮化物垂直柱阵列衬底，包括：
衬底；
垂直柱阵列层，位于该衬底上，其中该垂直柱阵列层是由多个单晶性垂直柱组成；以及
氮化镓半导体层，位于该垂直柱阵列层上。
14.如权利要求13所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，还包括位于该衬底与该垂直柱阵列层之间的氮化硅缓冲层。
15.如权利要求14所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，其中该氮化硅缓冲层的厚度约小于10纳米。
16.如权利要求14所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，其中该氮化硅缓冲层与该垂直柱阵列层之间还包括次缓冲层。
17.如权利要求16所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，其中该次缓冲层的厚度约为1～50纳米。
18.如权利要求16所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，其中该次缓冲层的材料包括三族氮化物。
19.如权利要求13所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，其中每一该些垂直柱的材料包括三族氮化物。
20.如权利要求13所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，其中每一该些垂直柱的材料包括氮化镓。
21.如权利要求13所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，其中该垂直柱阵列层的厚度约为10纳米～5微米。
22.如权利要求13所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，其中该垂直柱阵列层中该些垂直柱的分布密度约在109/cm2～1012/cm2之间。
23.如权利要求13所述的三族氮化物垂直柱阵列衬底，其中每一该些垂直柱的截面直径约为60～150纳米。
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