[发明专利]流体喷射装置及其制造方法

权利要求书

1、一种流体喷射装置的制造方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成图形化的高分子牺牲层；

在所述基底上形成高分子结构层，且所述高分子结构层覆盖所述高分子牺牲层；

图形化所述高分子结构层，以形成喷孔，并露出所述高分子牺牲层部分表面；及

移除所述图形化的高分子牺牲层，以形成流体腔，其中所述图形化的高分子牺牲层和所述高分子结构层大体上不具有工艺兼容性问题。

2、如权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述图形化的高分子牺牲层至少包括PMIPK。

3、如权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述高分子结构层至少包括环氧树脂。

4、如权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中移除所述高分子牺牲层的步骤采用显影工艺或是以移除剂移除所述高分子牺牲层。

5、如权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述图形化的高分子牺牲层为正光致抗蚀剂。

6、如权利要求1所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述高分子结构层为负光致抗蚀剂。

7、一种流体喷射装置的制造方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一感光型高分子层；

以具有流体腔图案的光掩模为掩模，并以第一波长范围的光线对所述第一感光型高分子层进行曝光；

在所述曝光后的第一感光型高分子层上形成第二感光型高分子层；

以具有喷孔图案的光掩模为掩模，并以第二波长范围的光线对所述第二感光型高分子层进行曝光，其中所述第一波长范围和所述第二波长范围大体上不互相干扰；及

对所述第一感光型高分子层和所述第二感光型高分子层进行显影，以同时定义出位于所述基底上的流体腔和位于所述第二感光型高分子层中的喷孔。

8、如权利要求7所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述以具有喷孔图案的光掩模为掩模，并以第二波长范围的光线对所述第二感光型高分子层进行曝光的步骤包括：

提供全波长范围的光源；

以滤光片对所述光源进行过滤，以得到所述第二波长范围的光线；及

以具有喷孔图案的光掩模为掩模，并以所述第二波长范围的光线对所述第二感光型高分子层进行曝光。

9、如权利要求7所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述第一感光型高分子层仅对所述第一波长范围的光线产生反应，且所述第二感光型高分子层仅对所述第二波长范围的光线产生反应。

10、如权利要求7所述的流体喷射装置的制造方法，其中在所述以具有喷孔图案的光掩模为掩模，并以第二波长范围的光线对所述第二感光型高分子层进行曝光的步骤中所述第一感光型高分子层大体上不产生反应。

11、如权利要求7所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述第一波长范围为波长大体上小于350nm的波长范围。

12、如权利要求7所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述第二波长范围为波长大体上大于350nm的波长范围。

13、如权利要求7所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述第一感光型高分子层为型号为ODUR 1010的光致抗蚀剂。

14、如权利要求7所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述第二感光型高分子层为AZ系列的光致抗蚀剂或是型号为SU8的光致抗蚀剂。

15、如权利要求7所述的流体喷射装置的制造方法，其中所述滤光片为HOYA CO.所生产的UV-361 UV。

16、一种流体喷射装置，包括：

基底；

侧壁结构层，位于所述基底上；及

上盖结构层，位于所述侧壁结构层上，其中所述侧壁结构层和所述上盖结构层构成所述流体喷射装置的流体腔，且所述侧壁结构层由可对第一曝光波长范围反应的光致抗蚀剂材料所组成，所述上盖结构层由可对第二曝光波长范围反应的光致抗蚀剂材料所组成，所述第一曝光波长范围和所述第二曝光波长范围不互相干扰。

17、如权利要求16所述的流体喷射装置，其中所述侧壁结构层为型号为ODUR 1010的光致抗蚀剂。