[发明专利]抗蚀覆盖膜形成材料、形成抗蚀图的方法、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610094195.6 | 申请日： | 2006-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101021682A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 野崎耕司;小泽美和 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;G03F7/26;H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 覆盖 形成 材料 抗蚀图 方法 半导体器件 及其 制造 | ||
【权利要求书】：
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