[发明专利]填料、它的应用及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200610094483.1 申请日: 1997-09-22
公开(公告)号: CN101081910A 公开(公告)日: 2007-12-05
发明(设计)人: K·霍恩;A·德布雷;P·施洛特尔;R·施米特;J·施奈登 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: C08K3/00 分类号: C08K3/00;C08K9/00;C08L63/00;H01L33/00;H01L51/30;H05B33/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 魏军
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 填料 应用 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种基于透明环氧树脂的填料(5),它应用于具有一个发紫外光、蓝光或绿光的发光体(1)的电致发光元件中,

其特征在于:

在所述透明环氧树脂中包含一个无机发光色料颗粒的组,该组由稀土元素掺杂的石榴石、稀土元素掺杂的硫镓酸盐、稀土元素掺杂的铝酸盐及用稀土元素掺杂的原硅酸盐构成,

所述无机发光色料颗粒具有粒度≤20μm和d50≤5μm。

2.根据权利要求1的填料,其特征在于:所述无机发光材料颗粒(6)是球形的或鳞片状的。

3.根据权利要求1填料,其特征在于:所述无机发光材料颗粒(6)的平均颗粒直径d50在1及2μm之间。

4.根据权利要求1至3中任一项的填料,其特征为:该填料(5)是由以下成分组成的:

a)环氧树脂≥60Gew%且<100Gew%

b)无机发光材料颗粒>0且≤25Gew%

c)触变剂>0且≤10Gew%

d)矿物扩散剂>0且≤10Gew%

e)处理助剂>0且≤3Gew%

f)疏水剂>0且≤3Gew%

g)附着媒介质>0且≤2Gew%。

5.根据权利要求1至3中任一项的填料,其特征在于:使用出自于用Ce掺杂的石榴石组中的颗粒作为无机发光材料颗粒。

6.根据权利要求5的填料,其特征在于:使用YAG:Ce颗粒作为无机发光材料颗粒。

7.根据权利要求1至3中任一项的填料,其特征在于:它的铁含量≤20ppm。

8.根据权利要求1至3中任一项的填料,其特征在于:所述无机发光材料颗粒在与环氧树脂混合前在≥200℃温度下进行热处理。

9.发光半导体元件,具有一个半导体主体(1),它在半导体元件工作时发出在紫外、蓝和/或绿光光谱区域中的光波,

其特征在于:

半导体主体(1)由一种基于透明环氧树脂的填料(5)所包围,该填料(5)应用于具有一个发紫外光、蓝光或绿光的发光体(1)的电致发光元件中,在所述透明环氧树脂中包含一个无机发光色料颗粒的组,该组由稀土元素掺杂的石榴石、稀土元素掺杂的硫镓酸盐、稀土元素掺杂的铝酸盐及用稀土元素掺杂的原硅酸盐构成,所述无机发光色料颗粒具有粒度≤20μm和d50≤5μm,并且

无机发光材料颗粒使出自于该光谱区域中的光波的一部分转换成具有较长波长的光波,以使得该半导体元件发射由该被转换的光波及出自于紫外、蓝和/或绿光光谱区域的光波组成的混合光波。

10.根据权利要求9的发光半导体元件,其特征在于:所述半导体主体(1)被设置在一个透明基壳(8)的槽(9)中;及槽(9)全部或者部分地用填料(5)填充。

11.根据权利要求9的发光半导体元件,其特征在于:所述无机发光材料颗粒(6)是球形的或鳞片状的。

12.根据权利要求9的发光半导体元件,其特征在于:所述无机发光材料颗粒(6)的d50在1及2μm之间。

13.根据权利要求9、11或者12的发光半导体元件,其特征在于:

a)环氧树脂≥60Gew%且<100Gew%

b)无机发光材料颗粒>0且≤25Gew%

c)触变剂>0且≤10Gew%

d)矿物扩散剂>0且≤10Gew%

e)处理助剂>0且≤3Gew%

f)疏水剂>0且≤3Gew%

g)附着媒介质>0且≤2Gew%。

14.根据权利要求9、11或者12的发光半导体元件,其特征在于:

使用出自于用Ce掺杂的石榴石组中的颗粒作为无机发光材料颗粒。

15.根据权利要求9、11或者12的发光半导体元件,其特征在于:

使用YAG:Ce颗粒作为无机发光材料颗粒。

16.根据权利要求9、11或者12的发光半导体元件,其特征在于:

它的铁含量≤20ppm。

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