[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200610094492.0 | 申请日： | 1994-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101090124A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;竹村保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种电光系统，包括：
显示器，包括衬底上的驱动器电路，所述驱动器电路包含n沟道 薄膜晶体管和p沟道薄膜晶体管；
其中所述n沟道薄膜晶体管和所述p沟道薄膜晶体管中的每个包 括：
半导体层；
形成在所述半导体层中的源区和漏区，所述源区和所述漏区 之间有位于所述半导体层中的沟道区；
毗邻所述沟道区的栅绝缘膜；
毗邻所述沟道区包括钼的栅极，所述栅极和所述沟道区之间 介有所述栅绝缘膜；及
一对轻度掺杂区，其中一个轻度掺杂区位于所述沟道区和所 述源区之间，而另一个轻度掺杂区位于所述沟道区和所述漏区之 间，
其中所述n沟道薄膜晶体管中的每个轻度掺杂区的宽度为 0.2至0.3微米，而所述p沟道薄膜晶体管中的每个轻度掺杂区 的宽度为0至0.2微米。
2.根据权利要求1的电光系统，其中所述衬底是玻璃衬底。
3.根据权利要求1的电光系统，其中所述n沟道薄膜晶体管的 所述轻度掺杂区含有浓度比所述n沟道薄膜晶体管的所述源区和漏区 低的磷。
4.一种电光系统，包括：
显示器，包括衬底上的驱动器电路，所述驱动器电路包含n沟道 薄膜晶体管和p沟道薄膜晶体管；
其中所述n沟道薄膜晶体管和所述p沟道薄膜晶体管中的每个包 括：
半导体层；
形成在所述半导体层中的源区和漏区，所述源区和所述漏区 之间有位于所述半导体层中的沟道区；
毗邻所述沟道区的栅绝缘膜；
毗邻所述沟道区包括钨的栅极，所述栅极和所述沟道区之间 介有所述栅绝缘膜；及
一对轻度掺杂区，其中一个轻度掺杂区位于所述沟道区和所 述源区之间，而另一个轻度掺杂区位于所述沟道区和所述漏区之 间，
其中所述n沟道薄膜晶体管中的每个轻度掺杂区的宽度为 0.2至0.3微米，而所述p沟道薄膜晶体管中的每个轻度掺杂区 的宽度为0至0.2微米。
5.根据权利要求4的电光系统，其中所述衬底是玻璃衬底。
6.根据权利要求4的电光系统，其中所述n沟道薄膜晶体管的 所述轻度掺杂区含有浓度比所述n沟道薄膜晶体管的所述源区和漏 区低的磷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
