[发明专利]微显示板表面平坦度改善方法、硅基液晶显示板及其制法

权利要求书

1.一种改善微显示面板表面平坦度的方法，包括：

提供半导体基底；

于该半导体基底上形成反射镜层；

于该反射镜层上形成垫高层；

将该垫高层及该反射镜层定义出多个像素单元区，而于该些像素单元区之间形成间隙；

于该些像素单元区上沉积介电层，并且填满该些间隙；

部分移除该介电层，使位于该垫高层上的介电层及位于该间隙的介电层上部被移除，并使得该间隙的介电层高度不低于该反射镜层的顶部；及

移除部分或全部的该垫高层。

2.如权利要求1所述的方法，其中该垫高层包括复合层。

3.如权利要求2所述的方法，其中该复合层包括缓冲层为下层及停止层为上层。

4.如权利要求3所述的方法，进一步形成保护层于该缓冲层上以与该缓冲层结合而保护该反射镜层。

5.如权利要求4所述的方法，进一步于该保护层上形成配向膜。

6.如权利要求3所述的方法，其中该移除部分或全部的该垫高层的步骤为移除该停止层。

7.如权利要求6所述的方法，于移除该停止层后，进一步移除该缓冲层。

8.如权利要求7所述的方法，于移除该缓冲层后，进一步形成保护层于该反射镜层上以保护该反射镜层。

9.如权利要求8所述的方法，进一步于该保护层上形成配向膜。

10.如权利要求3所述的方法，其中该缓冲层包括硅氧化物。

11.如权利要求3所述的方法，其中该停止层包括氮化钛。

12.如权利要求4所述的方法，其中该保护层与该缓冲层结合而包括多层的硅氧化物层-氮硅化物层。

13.如权利要求8所述的方法，其中该保护层包括多层的硅氧化物层-氮硅化物层。

14.如权利要求1所述的方法，其中部分移除该介电层的步骤通过化学机械抛光工艺进行。

15.如权利要求1所述的方法，其中部分移除该介电层的步骤通过回蚀工艺进行。

16.如权利要求1所述的方法，其中该反射镜层包括金属。

17.如权利要求16所述的方法，其中该金属包括铝。

18.如权利要求1所述的方法，还包括下列步骤：

将透明导电层结合于该半导体基底上，使该些像素单元区位于该透明导电层与该半导体基底之间；及

进行一灌液晶工艺，将该半导体基底与该透明导电层的间隙充满液晶。

19.一种制造硅基液晶显示面板的方法，包括：

提供半导体基底；

于该半导体基底上形成反射镜层；

于该反射镜层上形成垫高层；

将该垫高层及该反射镜层定义出多个像素单元区，而于该些像素单元区之间形成间隙；

于该些像素单元区上沉积介电层，并且填满该些间隙；

部分移除该介电层，使位于该垫高层上的介电层及位于该间隙的介电层上部被移除，并使得该间隙的介电层高度不低于该反射镜层的顶部；

移除该垫高层；

将透明导电层结合于该半导体基底上，使该些像素单元区位于该透明导电层与该半导体基底之间；及

进行灌晶工艺，将该半导体基底与该透明导电层的间隙充满液晶。

20.如权利要求19所述的方法，其中该垫高层包括复合层。

21.如权利要求20所述的方法，其中移除该垫高层是部分移除该复合层。

22.如权利要求20所述的方法，其中该复合层包括缓冲层为下层及停止层为上层。

23.一种硅基液晶显示面板，包括：

半导体基底；

多个反射镜层单元，位于该半导体基底上，以作为像素电极以及光反射之用，其中该些反射镜层单元之间的间隙填有介电层，且该介电层高度不低于该反射镜层单元的顶部；

透明导电层，结合于该半导体基底上，且该些反射镜层单元位于该透明导电层与该半导体基底之间；及

液晶层，位于该半导体基底与该透明导电层之间。