[发明专利]具有单面板功能测试的静电放电防护整合电路有效
申请号: | 200610094686.0 | 申请日: | 2006-06-26 |
公开(公告)号: | CN101097673A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 蔡哲福;王文俊 | 申请(专利权)人: | 胜华科技股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;G09G3/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 台湾省427台中县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 面板 功能 测试 静电 放电 防护 整合 电路 | ||
1.一种显示面板,用以结合一驱动集成电路(IC),该显示面板包括:
多条信号线;以及
多个负静电防护电路,分别耦接至所述信号线,其中所述各负静电防护电路的第一端分别耦接至所述信号线,所述各负静电防护电路的第二端互相耦接,且所述各负静电防护电路的静电防护端互相耦接;
其中,当该驱动IC结合至该显示面板时,于所述各信号线产生的负静电经由各信号线所耦接的负静电防护电路的第一端传导至负静电防护电路的静电防护端,并经由其它各负静电防护电路的静电防护端传导至其它各负静电防护电路的第一端而加以排除,且所述各负静电防护电路的第二端耦接至该驱动IC的一低电位引脚。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于所述信号线是扫描线,且该驱动IC是扫描驱动IC。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于所述各信号线为一数据线,且该驱动IC为一数据驱动IC。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于所述各负静电防护电路包括一N型金属氧化物半导体NMOS晶体管、一第一二极管组件以及一第二二极管组件,该NMOS晶体管的源极耦接负静电防护电路所耦接的信号线,该NMOS晶体管的漏极耦接该第一二极管组件的负极以作为静电防护端,该NMOS晶体管的栅极耦接该第二二极管组件的负极,该第一二极管组件的正极耦接该第二二极管组件的正极,且该第一二极管组件与该第二二极管组件的正极耦接点作为负静电防护电路的第二端。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于该第一二极管组件以及该第二二极管组件皆为一NMOS晶体管以二极管形式连接而形成。
6.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于于单面板测试操作中,至少一部份的NMOS晶体管的栅极耦接至一第一测试点,该部份的NMOS晶体管的漏极耦接至一第二测试点,该第一测试点具有一测试电压,该第二测试点具有所述各信号线所传输的驱动信号的一高电位电压,且该测试电压高于该高电位电压至少NMOS晶体管的一临界电压值。
7.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于NMOS晶体管的栅极互相耦接至该第一测试点,且NMOS晶体管的漏极互相耦接至该第二测试点。
8.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于耦接奇数级信号线的NMOS晶体管的栅极互相耦接至该第一测试点,且耦接奇数级信号线的NMOS晶体管的漏极互相耦接至该第二测试点。
9.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于耦接偶数级信号线的NMOS晶体管的栅极互相耦接至该第一测试点,且耦接偶数级信号线的NMOS晶体管的漏极互相耦接至该第二测试点。
10.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于信号线为数据线,耦接红色像素数据线的NMOS晶体管的栅极互相耦接至该第一测试点,且耦接红色像素数据线的NMOS晶体管的漏极互相耦接至该第二测试点。
11.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于信号线为数据线,耦接绿色像素数据线的NMOS晶体管的栅极互相耦接至该第一测试点,且耦接绿色像素数据线的NMOS晶体管的漏极互相耦接至该第二测试点。
12.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于信号线为数据线,耦接蓝色像素数据线的NMOS晶体管的栅极互相耦接至该第一测试点,且耦接蓝色像素数据线的NMOS晶体管的漏极互相耦接至该第二测试点。
13.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于该显示面板是一薄膜晶体管面板。
14.一种平面显示器,包括:
一显示面板,包括:
多条信号线;以及
多个负静电防护电路,分别耦接至所述信号线,其中所述各负静电防护电路的第一端分别耦接至所述信号线,所述各负静电防护电路的第二端互相耦接,且所述各负静电防护电路的静电防护端互相耦接;以及
一驱动IC,用以于结合该显示面板时耦接至所述信号线,其中该驱动IC包括一低电位引脚;
其中,当该驱动IC结合至该显示面板时,于所述各信号线产生的负静电经由各信号线所耦接的负静电防护电路的第一端传导至负静电防护电路的静电防护端,并经由其它各负静电防护电路该静电防护端传导至其它各负静电防护电路的第一端而加以排除,且所述各负静电防护电路的该第二端耦接至该驱动IC的该低电位引脚。
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