[发明专利]芯片排阻的制程方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种芯片排阻结构与其制程方法，特别是有关于一种防止电极发生电子迁移现象的芯片排阻结构与其制程方法。

背景技术

参照图1A至图1D为传统的芯片排阻制程的俯视图。首先，如图1A所示通过厚膜印刷方式将数个成对电极102印刷在氧化铝基板100上，然后再印刷上数个电阻104于氧化铝基板100上而其两侧分别与成对电极102相接，如图1B所示。接着，如图1C所示，印刷一第一玻璃保护层覆盖氧化铝基板100与电极102的部分表面，以及电阻104。经激光修整各个电阻达到预设的阻值范围内，而此经激光修整区域107会裸露出部分金属如银等，再印刷一第二玻璃保护层108覆盖氧化铝基板100与电极102的部分表面，以及第一保护层106，用以保护此激光修整区域107，如图1D所示。然后，在氧化铝基板100侧边沾银胶形成侧边电极。经切割成粒再镀上镍与锡后即为一个个芯片排阻。

现今电子产品的共同趋势为轻、薄、短、小，并内含的元件更多、更为密集使得电子产品的功能与效率更为提升，当然对于芯片排阻来说也无法脱离此趋势。随着此一趋势，芯片排阻内的电阻与电极也变得更小且更为密集，故相邻电极间的距离也跟着变小。也因为电阻变小使得与其相接的成对电极间的距离也跟着变小；相对的电极与电阻上的激光修整区域间的距离也变小了。

如前述芯片排阻中的电极102大多使用银来做为电极材料，这是因为银的导电性仅次于金而成本比金低很多。但是银电极随着相邻电极间距离的缩小，相邻银电极102间的电子迁移而变得容易；换言之，原本因相邻银电极的距离所造成电极102间电子迁移的困难度因距离变小而跟着变小了，因此只要有一些湿气存在芯片排阻内或是较大的电流通过，便容易发生电子迁移现象造成芯片排阻在工作时短路。

此外，这并非为芯片排阻的银电极102发生电子迁移现象的惟一途径。由于电阻104变小使得与电阻104两侧连接的成对银电极102间距离也跟着变小，使得此成对电极彼此之间容易发生电子迁移现象。此为芯片排阻中银电极102发生电子迁移的另一途径。再者，通常在制作芯片排阻的时候，利用激光来调整各个电阻104的阻值达到所要求的阻值，而在电阻104上激光调整过后的区域107(激光调整区域)会有金属，如银，裸露出来。此一裸露金属的激光调整区域107因电阻104变小，而与银电极102之间的距离变小，使得银电极102容易与此激光调整区域107发生电子迁移现象，此为电子迁移的又一途径。

因此，如何解决因上述问题所造成电极的电子迁移现象，导致芯片排阻在工作时短路。此一问题为芯片排阻走向体积变小、密度变大趋势所迫切需要解决的。

发明内容

鉴于上述的背景，本发明之一目的是提出一芯片排阻的制程方法，可形成一屏障层完全覆盖银电极，解决芯片排阻在工作时，电极间及与激光修整区域发生电子迁移而造成短路。

本发明的另一目的为提出一芯片排阻的制程方法，通过制做发生电子迁移机率比较小的电极材料取代原本的银电极来解决电子迁移所造成的短路问题。

根据上述的目的，本发明实施例之一提供一种芯片排阻的制程方法，其中在一氧化铝基板上形成数个电阻与成对电极且彼此连接。覆盖一第一保护层于部分电阻上，并且覆盖一屏障层于各电极上，再通过激光调整各个电阻的阻值。然后，覆盖一层第二保护层，再将其切割为一个个的芯片排阻。此制成方式用于针对用银材质作为电极的芯片排阻，形成的屏障层将完全覆盖电极以阻止电极发生电极迁移现象。

本发明的另一实施例是提供一种芯片排阻的制程方法，形成发生电子迁移机率比较小的电极来取代银电极。首先，在氧化铝基板上形成数个电阻并以一第一保护层覆盖部分电阻。然后再利用溅镀或蒸镀技术形成一种晶层(seed layer)覆盖氧化铝基板、电阻及第一保护层，再通过微影技术(photolithography)使预定做为电阻区域裸露出种晶层，并镀上一镍或铜的电极层再洗掉光阻层与蚀刻种晶层而形成电极；或是先利用一金属罩幕(metal mask)覆盖氧化铝基板仅裸露出预定做为电阻接点(Contact)区域，再利用蒸镀或溅镀技术形成一附着层于预定做为电极区域，然后形成一电极层即形成电极。再经激光调整各电阻的阻值后覆盖一第二保护层，然后切割为一个个的芯片排阻。因为其电极材质不为银电极而是以发生电子迁移机率比较小的金属材质代替，因此，在芯片排阻工作时不会因电即发生电子迁移现象而导致短路。

附图说明

图1A至图1D为已知的芯片排阻制程方法的俯视图。