[发明专利]闪存器件及其数据I/O操作方法

说明书

技术领域

总体而言，本发明涉及半导体存储器件，而更特别地，涉及闪存器件及其数据I/O操作方法。

背景技术

闪存器件执行程序操作、读操作和擦除操作。闪存器件的程序操作和读操作是在页的基础上执行的。

更详细地，在闪存器件的程序操作期间，外部输入数据通过数据输入电路分别输入和存储在页缓冲器中。其后，在页缓冲器中所存储的数据被程序到存储器单元阵列所选页中所包括的存储器单元中。此外，在闪存器件的读操作期间，分别从所选页中所包括的存储器单元中读取的输出数据分别存储在页缓冲器中，且然后通过数据输出电路输出到外部器件上。

同时，随着半导体制造技术进步，已经开发了以更高速度工作的半导体器件。结果，趋势是，应用于高速工作的半导体器件的闪存器件的工作速度亦逐渐增加。因为闪存器件的程序或读操作过程包括数据输入或输出过程，与其擦除操作过程相比，它们需要相对长的时间。因此，为了改善闪存器件的工作性能(即增加工作速度)，重要的是减少闪存器件的数据输入或输出过程中所花的时间。

发明内容

本发明的一个实施例提供了包括被分成两个或多个组的页缓冲器的闪存器件，其中被分成两个或多个组的页缓冲器的数据I/O操作以交错的方式执行，由此增加了数据I/O速度。

本发明的另一实施例提供了包括被分成两个或多个组的页缓冲器的闪存器件的数据输入方法，其中被分成两个或多个组的页缓冲器的数据输入操作以交错的方式执行，由此增加了数据输入速度。

本发明的又一实施例提供了闪存器件的数据输出方法，包括以交错的方式来执行被分成两个或多个组的页缓冲器的数据输出操作，由此增加了数据输出速度。

根据本发明一实施例的闪存器件包括存储器单元阵列、输入缓冲器单元、输出驱动器单元、第一页缓冲器单元、第二页缓冲器单元、第一数据I/O单元和第二数据I/O单元。存储器单元阵列包括两个或多个存储器排组(memory bank)。输入缓冲器单元响应于芯片使能信号来接收来自外部器件的第一输入数据或第二输入数据。输出驱动器单元接收第一内部输出数据或第二内部输出数据，并将第一输出数据或第二输出数据输出至外部器件，以响应读使能控制信号。第一页缓冲器单元将第一输入数据传送至两个或多个存储器排组之一，或感测并存储从两个或多个存储器排组之一读取的第一读数据。第二页缓冲器单元将第二输入数据传送至剩余的存储器排组，或读出并存储从剩余的存储器排组所读取的第二读数据。第一数据I/O单元将从输入缓冲器单元所接收的第一输入数据传送至第一页缓冲器单元，或接收来自第一页缓冲器单元的第一读数据，且将第一内部输出数据传送至输出驱动器单元，以响应于第一控制信号、第一列选择信号和数据输入使能信号。第二数据I/O单元将从输入缓冲器单元所接收的第二输入数据传送至第二页缓冲器单元，或接收来自第二页缓冲器单元的第二读数据，且将第二内部输出数据传送至输出驱动器单元，以响应于第二控制信号、第二列选择信号和数据输入使能信号。第一数据I/O单元和第二数据I/O单元以预定的时间间隔交替地工作。

根据本发明的另一实施例，闪存器件的数据输入方法包括：执行第一数据输入步骤，即通过第一数据I/O单元，将第一输入数据输入至两个或多个页缓冲器单元之一，这些页缓冲器单元分别对应于存储器单元阵列中所包括的两个或多个存储器排组；执行第二数据输入步骤，即以介于第一数据输入步骤和第二数据输入步骤之间的预定的时间间隔、通过第二数据I/O单元，将第二输入数据输入至两个页缓冲器单元中的另一个；以及执行交替地重复第一数据输入步骤和第二数据输入步骤、直到有待被分别编程到两个或多个存储器排组中所包括的多个页之一中的第一和第二输入数据被输入至两个或多个页缓冲器单元的步骤。

根据本发明的另一实施例，闪存器件的数据输出方法包括：执行第一数据输出步骤，即通过第一数据I/O单元，将第一读数据作为第一输出数据输出至外部器件，该第一读数据由分别与存储器单元阵列中所包括的两个或多个存储器排组对应的两个或多个页缓冲器单元之一从两个或多个存储器排组之一读取；执行第二数据输出步骤，即通过第二数据I/O单元，将第二读数据作为第二输出数据输出至外部器件，该第二读数据以介于第一数据输出步骤和第二数据输出步骤之间的预定的时间间隔、由两个或多个页缓冲器单元的另一个从两个或多个存储器排组的另一个读取；以及执行交替地重复第一数据输出步骤和第二数据输出步骤、直到分别从两个或多个存储器排组中所包括的多个页之一中读取的第一和第二读数据二者作为第一和第二输出数据被输出至外部器件的步骤。