[发明专利]覆晶封装结构

说明书

技术领域

本发明是有关于一种覆晶封装结构，且特别是有关于一种将晶片覆于软性承载器上的覆晶封装结构。

背景技术

覆晶封装技术(Flip Chip Package Technology)主要是在晶片的主动表面(active surface)上配置多个焊垫(bonding pad)，并分别在这些焊垫上形成凸块(bump)，藉由焊垫上的凸块即可电性(electrically)连接至软性承载器(flexible carrier)上，其中软性承载器例如是软性电路板(Flexible Printed Circuit board，简称FPC)。值得注意的是，由于覆晶接合技术可应用于高接脚数(High Pin Count)的晶片封装结构，并具有缩小封装面积及缩短讯号传输路径等诸多优点，使得覆晶封装技术目前已被广泛地应用在晶片封装领域。

图1为现有的一种覆晶封装结构的示意图。请参考图1，现有的覆晶封装结构100包括一晶片110、一软性承载器120、多个凸块130及一底胶层(underfill layer)140。晶片110具有一主动表面112、多个焊垫114，其中焊垫114位于主动表面112上，而凸块130即是配置于焊垫114上。晶片110即可经由这些凸块130来与软性承载器120电性连接。此外，在晶片110以及软性承载器120之间形成底胶层140以包覆凸块130，其中底胶层140用以缓冲晶片110与软性承载器120之间所产生的热应力(thermalstress)。

承上所述，若要使晶片110经由凸块130与软性承载器120电性连接，则须对覆晶封装结构100进行一回焊(reflow)制程。值得注意的是，在回焊制程中，软性承载器120会受热而膨胀，而在完成回焊制程后，环境温度的降低以及软性承载器120本身的可挠性质将会使得软性承载器120产生收缩变形的现象。如此一来，欲在晶片110以及软性承载器120之间浇注底胶材料以形成包覆凸块130的底胶层140时，底胶材料便无法完全充满晶片110与软性承载器120间，使得底胶层140具有多个孔洞(void)142。

然而，底胶层具有多个孔洞将使得底胶层无法完全包覆凸块，部分凸块即暴露于环境中。换言之，凸块容易受到外界影响而产生裂缝，进而影响到覆晶封装结构的可靠度。因此，如何减少底胶层中的孔洞产生以提高覆晶封装结构的可靠度是一重要课题。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的就是在提供一种覆晶封装结构，可藉由在晶片的主动表面上配设多个拟凸块以减少软性承载器的变形量，进而减少底胶层中的孔洞产生。

为达本发明的上述目的，本发明提出一种覆晶封装结构，其包括一晶片、一软性承载器、多个凸块、多个拟凸块以及一底胶层。晶片具有一主动表面与配置于主动表面的多个焊垫，而软性承载器则具有一软性基板与一配置于软性基板上的线路层。此外，凸块是配置于焊垫上，其中线路层是经由凸块与焊垫电性连接。另外，拟凸块是配置于主动表面上，其中软性承载器经由拟凸块与晶片的主动表面连接，而底胶层则是位于晶片以及软性承载器之间，以包覆这些凸块以及这些拟凸块。

在本发明的一实施例中，晶片例如更包括配置于主动表面上的多个拟焊垫，而这些拟凸块配置于这些拟焊垫上。

在本发明的一实施例中，线路层例如是经由这些拟凸块与这些拟焊垫电性连接。

在本发明的一实施例中，软性承载器更包括一配置于线路层上的防焊层，且防焊层暴露出与这些凸块以及这些拟凸块电性连接的线路层。

在本发明的一实施例中，凸块例如是金凸块。

在本发明的一实施例中，拟凸块例如是金凸块。

在本发明的一实施例中，覆晶封装结构例如更包括一导电材料，其中导电材料配置于线路层与凸块以及线路层与拟凸块之间，且线路层经由导电材料与凸块以及拟凸块电性连接。

在本发明的一实施例中，导电材料例如是焊料、导电型B阶胶材、异方性导电胶或异方性导电膜。

在本发明的一实施例中，软性承载器例如是软性电路板。

在本发明的一实施例中，软性基板的材料例如是聚亚酰胺。

在本发明的一实施例中，线路层的材料例如是铜。

基于上述，本发明在晶片的主动表面上配设多个拟凸块，这些拟凸块在晶片与软性承载器电性连接的过程中有助于软性承载器的表面变形量较不明显。因此，当底胶材料注入晶片与软性承载器之间所围成的空间而形成底胶层时，底胶材料可平顺地注入，因而可降低底胶层的内部形成孔洞的机率，进而提高底胶填充制程的良率。