[发明专利]电阻值偏移补偿电路及使用该电路的电阻值补偿方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种电阻值偏移补偿电路的装置及方法，且特别是有关于一种用于记忆体控制器中的电阻值偏移补偿电路的装置及方法。

背景技术

在模拟集成电路的制造过程中，可能因制程的影响而无法得到其原本设计的电阻值，这种现象被称为电阻值的偏移。偏移的电阻值会使模拟集成电路操作时的电流值变得不准确，而让其无法达成预期的效能。举例来说，若振荡器的电阻值在制造过程中产生偏移，则会导致振荡器的振荡频率不准确。为了改善此问题，在现有的模拟集成电路中通常会加入一些补偿电阻以及焊垫(Trimming Pad)，可供在电阻值产生偏移时可对其进行补偿。

图1绘示一现有模拟集成电路，例如一振荡器100。如图1所示，电压源产生装置101提供电压源至运算放大器103。运算放大器103的输出端连接一原始电阻105，而电阻值偏移补偿电路115则用以补偿此原始电阻105。更详细地说，此原始电阻105与补偿电阻107a、107b、107c相互串接，金属导线111a、111b、111c则分别跨接于相应的补偿电阻107a、107b、107c上，且焊垫109a、109b、109c则分别位于相应的金属导线111a、111b、111c上。

当原始电阻105的电阻值产生偏移，并非是振荡器100所需的电阻值时，可使用焊垫109a、109b、109c来选择连接的补偿电阻107a、107b、107c来补偿原始电阻105的电阻值。举例来说，在振荡器100制作完成后，可对其进行一电阻值测试程序，来决定其所需的补偿电阻。当决定选择补偿电阻107a作为补偿电阻时，可切断焊垫109a并保留焊垫109b、109c，使得振荡器此时的总电阻值为原始电阻105制程后的电阻值加上补偿电阻107a制程后的电阻值。

但是，此种电阻值偏移补偿电路115，由于其焊垫109a、109b、109c需要较大面积(约为40×40um²)，因此在小面积的要求下无法加入足够数量的补偿电阻，造成无法精确地进行电阻值的补偿。此外，一旦焊垫被切断后，就无法再次改变此振荡器100的工作频率。此种现有的振荡器100因此无法通用于不同工作频率的多种非挥发性记忆体。

因此需要一个新的电阻值偏移补偿电路以及一种电阻值补偿方法，能够减小其所需面积、使得电阻值的补偿更为精确并适用于各种不同工作频率的非挥发性记忆体，以最佳化非挥发性记忆体的效能。

有鉴于上述现有的电阻值偏移补偿电路以及电阻值补偿方法所存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的电阻值偏移补偿电路，能够改进一般现有的电阻值补偿方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的主要目的在于，克服现有的电阻值偏移补偿电路以及电阻值偏移补偿方法存在的缺陷，而提供一种新的电阻值偏移补偿电路以及一种电阻值补偿方法，所要解决的技术问题是使其减小模拟集成电路所需面积并增加电阻值补偿的精确度，从而更加适于实用。

本发明的另一目的在于，提供一种新的电阻值偏移补偿电路以及一种电阻值补偿方法，所要解决的技术问题是使得应用此电阻值偏移补偿电路的模拟集成电路能够适用于各种不同工作频率的非挥发性记忆体，并最佳化各种不同频率的非挥发性记忆体的效能，从而更加适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种电阻值偏移补偿电路，其包括：数个电阻电性串接；数个电晶体(电晶体也称之为晶体管)，各个电晶体跨接于相应的一电阻的两端；以及一暂存器，电性连接于该些电晶体的闸极，用以控制该些电晶体的开启与关闭。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的电阻值偏移补偿电路，其更包括一非挥发性记忆体，电性连接于该暂存器，用以储存一控制信号，并经由该暂存器控制该些电晶体的开启与关闭。

前述的电阻值偏移补偿电路，其更包括一解码器，电性连接于该些电晶体的闸极以及该暂存器之间，用以解码该控制信号以控制该些电晶体的开启与关闭。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种使用前述电阻值偏移补偿电路的电阻值补偿方法，包括以下步骤：连接该些电阻于一电子元件；量测该些电阻的电阻值；依据该电子元件的特性以及该些电阻值以决定一控制信号；以及其中该控制信号藉由该暂存器控制该些电晶体的开启与关闭以补偿该电子元件所需的电阻值。