[发明专利]晶圆切割方法无效
| 申请号： | 200610099422.4 | 申请日： | 2006-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101110390A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 刘光华;罗宇城;李怀安;陈昆泓;黄莉贞;刘胜发;王君铭 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 方法 | ||
1.一种晶圆切割方法，包括：
提供一晶圆，该晶圆具有多个主动组件数组单元以及一第一对位记号；
接合一透明基板于该晶圆上，其中该透明基板具有一边缘区域，而该边缘区域是凸出于该晶圆之外；
形成一第二对位记号于该边缘区域上；
以该第一对位记号作为参考标记，对该透明基板进行切割；以及
以该第二对位记号作为参考标记，对该晶圆进行切割。
2.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其中形成该第二对位记号的方法包括激光烧录。
3.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其中形成该第二对位记号的方法包括蚀刻。
4.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其中该主动组件数组单元为一薄膜晶体管数组单元。
5.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其中该透明基板为一导电玻璃基板，而该导电玻璃基板包括一玻璃基板及一透明导电层，其中该透明导电层是配置于该玻璃基板上，且位于该玻璃基板与该晶圆之间。
6.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其中切割该晶圆的方法包括机械切割或激光切割。
7.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其中切割该透明基板的方法包括机械切割或激光切割。
8.一种晶圆切割方法，包括：
提供一晶圆，该晶圆具有多个主动组件数组单元以及一对位记号；
以该对位记号作为参考标记，对该晶圆的边缘进行切裂以形成一第一对位边及一第二对位边；
对该第一对位边及该第二对位边进行抛光制程；
接合一透明基板于该晶圆上；
以该对位记号作为参考标记，对该透明基板进行切割；以及
以该第一对位边及该第二对位边作为参考标记，对该晶圆进行切割。
9.如权利要求8所述的晶圆切割方法，其中抛光该第一对位边及该第二对位边的方法包括研磨抛光。
10.如权利要求8所述的晶圆切割方法，其中该第一对位边的方向与该第二对位边的方向垂直。
11.如权利要求8所述的晶圆切割方法，其中该主动组件数组单元为一薄膜晶体管数组单元。
12.如权利要求8所述的晶圆切割方法，其中该透明基板为一导电玻璃基板，而该导电玻璃基板包括一玻璃基板及一透明导电层，其中该透明导电层是配置于该玻璃基板上，且位于该玻璃基板与该晶圆之间。
13.如权利要求8所述的晶圆切割方法，其中切割该晶圆的方法包括机械切割或激光切割。
14.如权利要求8所述的晶圆切割方法，切割该透明基板的方法包括机械切割或激光切割。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
