[发明专利]具有天线罩的天线结构及其提高增益的方法

权利要求书

1.一种天线结构，包括：

一辐射组件；以及

一天线罩，具有至少一层介电材料，该至少一层介电材料的上表面具有多个S形金属图形，该至少一层介电材料的下表面具有相对应于所述S形金属图形的多个反S形金属图形；

其中，该S形金属图形与相对应的该反S形金属图形互相耦合以集中该辐射组件所发出的辐射波束。

2.如权利要求1所述的天线结构，其中该S形金属图形与该反S形金属图形印刷或蚀刻于该至少一层介电材料。

3.一种天线结构，包括：

一辐射组件；以及

一天线罩，具有至少一层介电材料，该至少一层介电材料的上表面具有多个金属图形，该至少一层介电材料的下表面具有相对应于该金属图形的多个反向金属图形；

其中，该金属图形的间距介于该辐射组件的共振频率的波长的0.002倍至0.2倍之间，该反向金属图形的间距介于该辐射组件的共振频率的波长的0.002倍至0.2倍之间；

其中，该金属图形与相对应的该反向金属图形互相耦合以集中该辐射组件所发出的辐射波束。

4.如权利要求3所述的天线结构，其中该金属图形与该反向金属图形印刷或蚀刻于该至少一层介电材料。

5.如权利要求4所述的天线结构，其中该至少一层介电材料包括二层以上介电材料，所述层介电材料的导磁系数相同。

6.如权利要求4所述的天线结构，其中该至少一层介电材料包括二层以上介电材料，所述层介电材料的导磁系数不相同。

7.如权利要求4所述的天线结构，其中该至少一层介电材料包括二层以上介电材料，部份的所述层介电材料的导磁系数相同，其余部份的所述层介电材料的导磁系数不相同。

8.如权利要求4所述的天线结构，其中该至少一层介电材料包括二层以上介电材料，所述层介电材料的介电常数相同。

9.如权利要求4所述的天线结构，其中该至少一层介电材料包括二层以上介电材料，所述层介电材料的介电常数不相同。

10.如权利要求4所述的天线结构，其中该至少一层介电材料包括二层以上介电材料，部份的所述层介电材料的介电常数相同，其余部份的所述层介电材料的介电常数不相同。

11.如权利要求3所述的天线结构，该天线罩的材质为一超颖材料。

12.如权利要求3所述的天线结构，其中该辐射组件为各种形式的天线。

13.一种天线罩，包括：

至少一层介电材料；

多个S形金属图形，印刷或蚀刻于该至少一层介电材料的上表面；以及

多个反S形金属图形，相对应于所述S形金属图形，并印刷或蚀刻于该至少一层介电材料的下表面；

其中，该S形金属图形与相对应的该反S形金属图形互相耦合以集中一辐射组件所发出的辐射波束。

14.如权利要求13所述的天线罩，该天线罩的材质为一超颖材料。

15.如权利要求13所述的天线罩，其中该S形金属图形的间距介于该辐射组件的共振频率的波长的0.002倍至0.2倍之间。

16.如权利要求13所述的天线罩，其中该反S形金属图形的间距介于该辐射组件的共振频率的波长的0.002倍至0.2倍之间。

17.如权利要求13所述的天线罩，其中该辐射组件为各种形式的天线。

18.一种天线罩，包括：

至少一层介电材料；

多个金属图形，印刷或蚀刻于该至少一层介电材料的上表面；以及

多个反金属图形，相对应于所述金属图形，并印刷或蚀刻于该至少一层介电材料的下表面；

其中，该金属图形的间距介于一辐射组件的共振频率的波长的0.0 02倍至0.2倍之间，该反向金属图形的间距介于该辐射组件的共振频率的波长的0.002倍至0.2倍之间；

其中，该金属图形与相对应的该反向金属图形互相耦合以集中该辐射组件所发出的辐射波束。

19.如权利要求18所述的天线罩，该天线罩的材质为一超颖材料。