[发明专利]动能扰动的显影工艺

权利要求书

1.一种动能扰动的显影工艺，包括下列步骤：

(a)提供半导体基底，该半导体基底上具有已曝光的光致抗蚀剂材料；

(b)覆盖显影剂于该光致抗蚀剂材料表面；

(c)进行第一静止扰动步骤，使该半导体基底于第一时间间隔内维持静止状态；

(d)进行旋转扰动步骤，使该半导体基底具有第一转速；

(e)进行第二静止扰动步骤，使该半导体基底于第二时间间隔内维持静止状态；以及

(f)进行清洗步骤，以清洗该半导体基底并于该光致抗蚀剂材料表面移除该显影剂。

2.如权利要求1所述的显影工艺，其中该半导体基底包括晶片。

3.如权利要求1所述的显影工艺，其中该方法于覆盖该显影剂于该光致抗蚀剂材料表面前还包括进行旋转步骤，使该半导体基底具有第二转速。

4.如权利要求3所述的显影工艺，其中该第二转速介于每分钟400至1000转。

5.如权利要求3所述的显影工艺，其中该第二转速大于该第一转速。

6.如权利要求1所述的显影工艺，其中该第一时间间隔低于50秒。

7.如权利要求1所述的显影工艺，其中该第一转速低于每分钟300转。

8.如权利要求1所述的显影工艺，其中该第二时间间隔低于10秒。

9.如权利要求1所述的显影工艺，其中该清洗步骤利用高压水柱来达成。

10.如权利要求1所述的显影工艺，其中该光致抗蚀剂材料是用于CMOS影像感测元件上。

11.如权利要求10所述的显影工艺，其中该光致抗蚀剂材料为彩色滤光片。

12.如权利要求1所述的显影工艺，其中该显影工艺还包括重复进行步骤(d)至步骤(e)。

13.一种动能扰动的显影工艺，包括下列步骤：

(a)提供半导体基底，该半导体基底上具有已曝光的光致抗蚀剂材料；

(b)覆盖显影剂于该光致抗蚀剂材料表面；

(c)进行第一静止扰动步骤，使该半导体基底于第一时间间隔内维持静止状态；

(d)进行震荡步骤，使该半导体基底产生晃动；

(e)进行第二静止扰动步骤，使该半导体基底于第二时间间隔内维持静止状态；以及

(f)进行清洗步骤，以清洗该半导体基底并于该光致抗蚀剂材料表面移除该显影剂。

14.如权利要求13所述的显影工艺，其中该半导体基底包括晶片。

15.如权利要求13所述的显影工艺，其中该方法于覆盖该显影剂于该光致抗蚀剂材料表面前还包括进行旋转步骤，使该半导体基底具有转速。

16.如权利要求15所述的显影工艺，其中该转速介于每分钟400至1000转。

17.如权利要求13所述的显影工艺，其中该第一时间间隔低于50秒。

18.如权利要求13所述的显影工艺，其中该震荡步骤包括超音波震荡步骤。

19.如权利要求13所述的显影工艺，其中该显影工艺还包括进行旋转扰动步骤。

20.如权利要求13所述的显影工艺，其中该第二时间间隔低于10秒。

21.如权利要求13所述的显影工艺，其中该清洗步骤利用高压水柱来达成。

22.如权利要求13所述的显影工艺，其中该光致抗蚀剂材料是用于CMOS影像感测元件上。

23.如权利要求22所述的显影工艺，其中该光致抗蚀剂材料为彩色滤光片。

24.如权利要求13所述的显影工艺，其中该显影工艺还包括重复进行步骤(d)至步骤(e)。