[发明专利]形成配向膜的设备及方法

权利要求书

1.一种形成配向膜的设备，其特征在于，包括一反应室，该反应室包含：

一坩锅，其中装盛一蒸镀源；

一支撑装置，支撑一基板，并且控制该基板的法线与该蒸镀源来向呈一倾斜角度；

一发射源，将该蒸镀源变为气态并附着于该基板的表面，以形成一配向膜；

一压力控制装置，控制该反应室内的压力；以及

一具有一狭缝的遮板，位于该蒸镀源与该基板之间，于该配向膜形成过程中，与该基板形成一相对移动，以控制该配向膜的膜厚均匀度。

2.如权利要求1所述的形成配向膜的设备，其中，该狭缝包含梯型形状、弧型形状、或三角型形状，该狭缝具有一长度涵盖于该基板，且该狭缝具有一开口比，用以补偿因上述该基板的法线与该蒸镀源来向呈倾斜角度而造成配向膜膜厚不均的情形。

3.一种形成配向膜的方法，其特征在于，包括：

将一基板置于一反应室中；

控制该基板与一蒸镀源呈一倾斜角度；

使一具有一狭缝的遮板与该基板呈相对移动，并同时形成一配向膜；

使该配向膜达到一预定膜厚；以及

取出该基板。

4.如权利要求3所述的形成配向膜的方法，其中，具有该狭缝的该遮板与该基板，相对于该蒸镀源的来向，呈现一横向相对移动，且上述该遮板与该基板的横向相对移动以择其一的等速率、加速率、及变速率方式进行。

5.如权利要求4所述的形成配向膜的方法，其中，由于该基板与该蒸镀源呈倾斜角度，使得该配向膜于距离该蒸镀源较近处具有一最高膜厚，且该配向膜于距离该蒸镀源较远处具有一最低膜厚，上述配向膜的最高膜厚与最低膜厚的比值为膜厚沉积比。

6.如权利要求5所述的形成配向膜的方法，其中，该狭缝具有择其一的梯型形状、弧型形状、及三角形状，该狭缝具有一长度涵盖于该基板，且该狭缝具有一第一宽度与一第二宽度，而该第一宽度与该第二宽度的比值为开口比。

7.如权利要求6所述的形成配向膜的方法，其中，该狭缝的该开口比等于该膜厚沉积比，用以补偿上述该基板与该蒸镀源呈倾斜角度所造成该配向膜膜厚不均的情形。

8.如权利要求3所述的形成配向膜的方法，其中，该蒸镀源为一无机材料择自包含硅氧化物、氮硅化物、碳硅化合物、氢化类钻石排列碳薄膜、氧化镁、氧化铝、以及氧化铟锡所组成的族群中之一。

9.如权利要求3所述的形成配向膜的方法，其中，该配向膜利用择其一的蒸镀法、及溅镀法而形成。

10.如权利要求3所述的形成配向膜的方法，其中，该具有该狭缝的遮板与该基板呈相对旋转移动。