[发明专利]生长碳纳米管的方法和制造场致发射器件的方法无效
| 申请号： | 200610101172.3 | 申请日： | 2006-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN1982210A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 金夏辰;韩仁泽 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00;H01J9/02;H01J1/304 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 纳米 方法 制造 发射 器件 | ||
【权利要求书】：
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