[发明专利]光掩模与曝光方法

权利要求书

1.一种光掩模，适用于光刻工艺，该光掩模包括：

基板；

至少一图案区，位于该基板上，至少该些图案区其中之一的一图案区中心不与该基板的基板中心重叠；以及

多个对准标记，位于每一该些图案区的周围的该基板上，其中至少四个对准标记包围每一该些图案区。

2.如权利要求1所述的光掩模，其中每一该些图案区的每一边的配置至少一该些对准标记。

3.如权利要求1所述的光掩模，其中每一该些图案区的每一角的配置至少一该些对准标记。

4.如权利要求1所述的光掩模，其中该些图案区的形状与大小相同。

5.如权利要求1所述的光掩模，其中至少该些图案区其中之一的形状与其他该些图案区的形状不同。

6.如权利要求1所述的光掩模，其中至少该些图案区其中之一的大小与其他该些图案区的大小不同。

7.如权利要求1所述的光掩模，其中该些对准标记的形状包括十字形、三角形、四边形或任一多边形其中之一。

8.如权利要求1所述的光掩模，其中该图案区中心为每一该些图案区的二对角线的交点。

9.如权利要求1所述的光掩模，其中该基板中心为该基板的二对角线的交点。

10.一种曝光方法，适用于晶片，其中该晶片上有感光材料层，该方法包括：

提供光掩模，该光掩模包括：

基板；

至少一图案区，位于该基板上，至少该些图案区其中之一的一图案区中心不与该基板的基板中心重叠；以及

多个对准标记，位于每一该些图案区的周围的该基板上，其中至少四个对准标记包围每一该些图案区；

由该些图案区中，选定曝光图案区；

将该光掩模上的该曝光图案区周围的该些对准标记分别对准于该晶片的边缘区中的多个晶片对准标记；以及

转印该曝光图案区至该晶片上的该感光材料层上。

11.如权利要求10所述的曝光方法，其中每一该些图案区的每一边的配置至少一该些对准标记。

12.如权利要求10所述的曝光方法，其中每一该些图案区的每一角的配置至少一该些对准标记。

13.如权利要求10所述的曝光方法，其中该些图案区的形状与大小相同。

14.如权利要求10所述的曝光方法，其中至少该些图案区其中之一的形状与其他该些图案区的形状不同。

15.如权利要求10所述的曝光方法，其中至少该些图案区其中之一的大小与其他该些图案区的大小不同。

16.如权利要求10所述的曝光方法，其中该些对准标记的形状包括十字形、三角形、四边形或任一多边形其中之一。

17.如权利要求10所述的曝光方法，其中该图案区中心为每一该些图案区的二对角线的交点。

18.如权利要求10所述的曝光方法，其中该基板中心为该基板的二对角线的交点。

19.如权利要求10所述的曝光方法，其中该曝光图案区包括至少一该些图案区。

20.如权利要求10所述的曝光方法，其中该感光材料层的材料包括正光致抗蚀剂、负光致抗蚀剂或其他感光材料。