[发明专利]制造二极管金属层的方法无效
| 申请号： | 200610103141.1 | 申请日： | 2006-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101101871A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 陈俊彬 | 申请（专利权）人： | 永贺工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/3205;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 台湾省台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 二极管 金属 方法 | ||
1.一种制造二极管金属层的方法，其特征在于，该方法先于一欲形成金属层的二极管晶圆或芯片区域，形成一可作为无电解电镀置换或还原金属湿式制程的金属、金属氧化物或合金底材，然后通过不含氰化物的无电解电镀的置换或还原反应，而使一特定金属沉积于金属底材上，以产生所需厚度的金属层，且该金属层的材质可为金、银、铜、铂、钯、镍、锌、铬或IIIA族金属、IVA族金属。
2.如权利要求1所述的制造二极管金属层的方法，其中，该方法还可于二极管晶圆或芯片区域上制作一阻隔层，并对该阻隔层进行图案化，以形成多个显露出底材的开口，及在该二极管晶圆或芯片区域上，利用蒸镀、溅镀、电镀或者无电解电镀的方式产生所需的金属底材。
3.如权利要求1所述的制造二极管金属层的方法，其中，该方法还可于金属底材制作后于二极管晶圆或芯片区域上制作一阻隔层，并对该阻隔层进行图案化，以形成多个显露出该金属底材的开口，并在图案化阻隔层的开口显露出的金属底材上，进行无电解电镀的置换或还原金属湿式制程，以沉积形成该金属层。
4.如权利要求1所述的制造二极管金属层的方法，其中，该金属底材的制作方法可利用蒸镀、溅镀、电镀或者无电解电镀的方式产生，且在金属底材的材质选择上为金、银、铜、铂、钯、镍、锌、铬或IIIA族金属、IVA族金属、VA族金属，或者上述金属种类一种以上所形成的双层金属或合金底材。
5.如权利要求4所述的制造二极管金属层的方法，其中，当该金属层的材质为金时，该无电解电镀的置换或还原金属湿式制程所使用的反应液内，可添加有亚硫酸金盐、硫代硫酸金盐、三氯化金等金属盐类或其错化合物。
6.如权利要求4所述的制造二极管金属层的方法，其中，当该金属底材的材质为铜或含铜80％以上的铜合金时，使用无电解镀金的湿式制程，以置换反应，将金反应至该金属底材的表面。
7.如权利要求4所述的制造二极管金属层的方法，其中，当该金属底材的材质为铜或含铜80％以上的铜合金时，使用无电解镀金的湿式制程，以置换反应，将银反应至该金属底材的表面。
8.如权利要求4所述的制造二极管金属层的方法，其中，当该金属底材的材质为镍或含铜/镍复合金属层，使用无电解镀金的湿式制程，以置换反应，将金反应至该金属底材的表面。
9.如权利要求4所述的制造二极管金属层的方法，其中，当该金属底材的材质为钯或铂时，使用无电解镀金的湿式制程，以还原反应，将金反应至该金属底材的表面。
10.如权利要求4所述的制造二极管金属层的方法，其中，当该金属底材的材质为金时，使用无电解镀金的湿式制程，以还原反应，将金反应至该金属底材的表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
