[发明专利]单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法无效
| 申请号： | 200610105562.8 | 申请日： | 2002-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101063225A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 元木健作;冈久拓司;中畑成二;弘田龙;上松康二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/38;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基板 及其 生长 方法 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化镓结晶，其特征在于：在由GaN、蓝宝石、SiC、尖晶石、GaAs、Si的任一种材料构成的衬底基板上，配置有非晶质或多晶的薄膜，在薄膜上具有由氮化镓的封闭缺陷集合区H，在该区域以外的区域具有：单晶低变位伴随区Z，以及单晶低变位剩余区Y——存在于单晶低变位伴随区Z的外部、具有同一晶体取向。
2.按权利要求1所述的氮化镓结晶，其特征在于：非晶质或多晶的薄膜的直径为1～200μm。
3.按权利要求1所述的氮化镓结晶，其特征在于：非晶质或多晶的薄膜的直径为5～70μm。
4.按权利要求1所述的氮化镓结晶，其特征在于：非晶质或多晶的薄膜的直径为20～70μm。
5.按权利要求1所述的氮化镓结晶，其特征在于：其直径大于等于1英寸(25mm)。
6.按权利要求1所述的氮化镓结晶，其特征在于：其具有导电性。
7.一种氮化镓基板，其特征在于：由加工按权利要求1所述的氮化镓结晶获得。
8.按权利要求7所述的氮化镓基板，其特征在于：封闭缺陷集合区H比其它区域深约0.3μm。
9.一种半导体激光器件，其特征在于：使用权利要求7所述的氮化镓基板制作。
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