[发明专利]从半导体废水中同时沉淀多种金属离子的合成物和方法有效
| 申请号： | 200610106443.4 | 申请日： | 1999-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1978336A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | K·S·萨尔曼;A·S·科瓦尔斯基;E·H·K·泽赫;W·J·沃德 | 申请（专利权）人： | 纳尔科化学公司 |
| 主分类号： | C02F1/62 | 分类号： | C02F1/62 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沙捷 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 水中 同时 沉淀 多种 金属 离子 合成物 方法 | ||
【说明书】：
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