[发明专利]用于激光和受激拉曼频移的钼酸盐晶体及其制备和用途无效
| 申请号： | 200610107971.1 | 申请日： | 2006-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101114103A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 朱浩淼;黄艺东;林炎富;龚兴红;陈雨金;谭奇光;罗遵度 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | G02F1/355 | 分类号： | G02F1/355 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福建省福州市杨桥*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 激光 受激拉曼频移 钼酸 晶体 及其 制备 用途 | ||
1.一种用于激光和受激拉曼频移的钼酸盐晶体，其特征在于：分子式为Li2M4(1-x)R4x(MoO4)7，其中M3+为稀土或三价过渡金属离子，即为Ti、Cr、Y、Sc、以及镧系元素中某一元素，R3+为Ti、Cr、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb。
2.一种权利要求1的钼酸盐晶体，其特征在于：分子式为Li2Gd4(1-x)Nd4x(MoO4)7，x的值可以根据掺杂离子种类和激光运转需要在0到1之间变化，该类晶体为四方晶系，该晶体在804nm处的吸收截面为16.6×10-20cm2，半高宽为7nm，在1060nm处的发射截面为12.4×10-20cm2，半高宽为15nm，拉曼频移约为890cm-1。
3.一种权利要求1的钼酸盐晶体，其特征在于：分子式为Li2Gd4(1-x)Yb4x(MoO4)7，x的值可以根据掺杂离子种类和激光运转需要在0到1之间变化，该晶体为四方晶系，其在976nm处的吸收截面为2.7×10-20cm2，半高宽为39nm。在1000nm处的发射截面为1.7×10-20cm2，半高宽为45nm，拉曼频移约为890cm-1。
4.一种权利要求1至3任一的钼酸盐晶体的用途，其特征在于：制备成块状或光纤状，作为固体激光器工作物质。
5.一种权利要求1至3任一的钼酸盐晶体的用途，其特征在于：制备成块状或光纤状，作为受激拉曼频移材料。
6.一种权利要求1至3任一的钼酸盐晶体的用途，其特征在于：制备成块状或光纤状，作为自受激拉曼频移激光材料。
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