[发明专利]用于化学机械研磨装置的操作参数自动反馈方法及其控制系统无效
申请号: | 200610108417.5 | 申请日: | 2006-08-02 |
公开(公告)号: | CN101116955A | 公开(公告)日: | 2008-02-06 |
发明(设计)人: | 庄志豪;曾圣桓;庄千莹 | 申请(专利权)人: | 力晶半导体股份有限公司 |
主分类号: | B24B49/10 | 分类号: | B24B49/10;G05B19/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 化学 机械 研磨 装置 操作 参数 自动 反馈 方法 及其 控制系统 | ||
1.一种用于化学机械研磨装置的操作参数自动反馈方法,其步骤包括:
(1)将该化学机械研磨装置中相关消耗性零件生命周期下载至数据库中,该数据库包括第一参照表和第二参照表;
(2)利用该数据库中的该第一参照表,查出在该化学机械研磨装置中该相关消耗性零件生命周期所对应的晶片厚度轮廓值;
(3)利用该晶片厚度轮廓值和该数据库中的该第二参照表,查出最佳的化学机械研磨装置的操作参数;以及
(4)将该最佳操作参数上传至该化学机械研磨装置中。
2.如权利要求1的方法,其中该消耗性零件为研磨垫。
3.如权利要求1的方法,其中该消耗性零件为研磨垫平整器。
4.如权利要求1的方法,其中该消耗性零件为研磨头。
5.如权利要求1的方法,其中该第一参照表为不同的消耗性零件生命周期时,研磨速率对应晶片研磨位置的晶片厚度轮廓值变化关系表。
6.如权利要求1的方法,其中该第二参照表为不同操作参数下,研磨速率对应晶片研磨位置的晶片厚度轮廓值变化关系表。
7.如权利要求1的方法,其中该操作参数包括:研磨率、操作压力、研磨头和研磨垫转速、操作温度。
8.如权利要求1的方法,还包括以下步骤:将研磨厚度轮廓值结果回存到该数据库的该第一与第二参照表内,作为以后对比用。
9.一种化学机械研磨操作参数自动反馈控制系统,包括:
化学机械研磨装置;
数据库,其中储存第一参照表和第二参照表;以及
自动反馈机制,当晶片进入该化学机械研磨装置时,自动下载该装置内的相关消耗性零件生命周期,和该数据库内的该两个参照表对比,并将对比出的最佳操作参数上传回该化学机械研磨装置。
10.如权利要求9的系统,其中该消耗性零件为研磨垫。
11.如权利要求9的系统,其中该消耗性零件为研磨垫平整器。
12.如权利要求9的系统,其中该消耗性零件为研磨头。
13.如权利要求9的系统,其中该第一参照表为不同的消耗性零件生命周期时,研磨速率对应晶片研磨位置的晶片厚度轮廓值变化关系表。
14.如权利要求9的系统,其中该第二参照表为不同操作参数下,研磨速率对应晶片研磨位置的晶片厚度轮廓值变化关系表。
15.如权利要求9的系统,其中该操作参数包括:研磨率、操作压力、研磨头和研磨垫转速、操作温度。
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