[发明专利]自发光与反射复合式显示器及其制作方法有效
申请号: | 200610108590.5 | 申请日: | 2006-07-20 |
公开(公告)号: | CN101110441A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 苏大荣 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82;G02F1/1333;G09F9/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 台湾省桃园*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 反射 复合 显示器 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明有关一种可挠性显示器,特别是一种以可挠性金属薄板作为基板的自发光与反射复合式显示器及其制作方法。
背景技术
由于显示器发展朝着轻、薄、耐摔甚至能以非平面来显示画面的趋势发展,因此开发以可挠性基板作为显示器的基底成为目前的研究主流。目前可挠性显示器的基板大致分为两大类,分别为塑胶基板(plastic substrate)与金属薄板(metal foil)。
塑胶基板虽然轻薄、可挠曲,但塑胶基板主要缺点为玻璃转变温度(glasstransition temperature,Tg)过低(约225℃),因此在进行薄膜晶体管(thinfilm transistor,TFT)制成时,为了避免影响薄膜晶体管元件的特性,仅适用于低温工艺。另外,若塑胶基板热膨胀系数过高,且其与薄膜晶体管的薄膜的热膨胀系数差异过大,容易造成薄膜破裂(crack)。此外,塑胶基板阻隔水气、氧气的能力远低于金属薄板与玻璃基板,需制作额外的阻隔层才能防止元件受到破坏。
金属薄板则因表面粗糙度过高,需进行表面处理以平坦化且也另需制作阻隔层以隔绝其导电性质,此阻隔层同时也有平坦化的效果。另外,金属薄板相较于塑胶基板及玻璃基板的最大的不同在于其具有不透光性,因此仅能使用正面发光技术。目前金属薄板多应用于自发光型(self-emission)显示产品上,如有机发光二极管(organic lighting emitting diodes,OLED)显示器。
发明内容
有鉴于此,本发明目的之一是提供一种自发光与反射复合式显示器及其制作方法,结合自发光式与反射式显示器于可挠性的金属薄板基材上,以充分利用环境光源,可扩大显示器的使用范围。
本发明的另一目的是提供一种自发光与反射复合式显示器及其制作方法,借助金属薄板的可挠特性作为可挠性显示器的基材,同时利用其金属反射性,进行反射式显示器的制作。此复合式显示器可于不同环境下得到最佳显示品质,达到节能与延长寿命。
本发明的又一目的是提供一种自发光与反射复合式显示器及其制作方法,于金属薄板的一侧进行自发光显示元件的制作,另一侧则进行反射式显示器元件的制作。借助驱动电路的整合,此复合式显示器可进行两种显示模式的切换。
为了达到上述目的,本发明一实施例的自发光与反射复合式显示器,包括:一可挠性薄板,其具有一第一表面与一第二表面;两透明隔绝层(transparentbarrier layer),其分别设置于可挠性薄板的第一表面与第二表面上;一自发光显示单元(self-emissive display unit),其设置于可挠性薄板的第一表面的透明隔绝层上;以及一反射式显示单元(reflective display unit),其设置于可挠性薄板的第二表面的透明隔绝层上。
本发明另一实施例的自发光与反射复合式显示器的制作方法,包括下列步骤:提供一可挠性薄板,其具有一第一表面与一第二表面;形成两透明隔绝层,其分别设置于可挠性薄板的第一表面与第二表面上;形成一自发光显示单元,其设置于可挠性薄板的第一表面的透明隔绝层上;以及形成一反射式显示单元,其设置于可挠性薄板的第二表面的透明隔绝层上。
附图说明
图1A为根据本发明的一实施例的自发光与反射复合式显示器的立体示意图。
图1B为根据本发明的一实施例的自发光与反射复合式显示器于图1A的C-C’剖面示意图。
图2A、图2B与图2C为根据本发明的一实施例的自发光与反射复合式显示器的部分剖面示图。
具体实施方式
图1A为根据本发明的一实施例的自发光与反射复合式显示器的立体示意图。如图1A所示,此自发光与反射复合式显示器101是于金属薄板的一面进行自发光式显示元件制作,另一面进行反射式显示元件的制作组合而成,再整合驱动电路与组件化,可进行两种显示模式的切换。使用者可依照所处环境光源状态,借助显示组件切换构件105进行切换。当使用者于室内光源不足时,可切换至自发光式显示状态。于户外或光源充足处,可将此自发光与反射复合式显示器101切换至反射式显示状态,仅需转个面即可继续使用还可节能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的