[发明专利]像素结构及其制造方法

权利要求书

1.一种像素结构的制造方法，包括：

在一基板上依序形成一第一金属层、一栅极绝缘层与一半导体材料层；

提供一光罩，该光罩具有一不透光区与一部分透光区，并利用该光罩在该半导体材料层上形成一图案化光阻层；

以该图案化光阻层为遮罩移除部份该第一金属层、部份该栅极绝缘层与部份该半导体材料层，以形成一栅极、一下电极、一图案化栅极绝缘层与一半导体层；

移除部分该图案化光阻层，以暴露出该下电极上方的该半导体层；

以该图案化光阻层为遮罩移除该下电极上方的该图案化栅极绝缘层与该半导体层；

移除该图案化光阻层；

在该半导体层上形成一源极与一漏极；

在该基板上形成一图案化保护层，其中该图案化保护层具有一接触窗，暴露出部分该漏极；以及

在该图案化保护层上形成一像素电极，其中该像素电极经由该接触窗与该漏极电性连接，且该像素电极与该下电极耦合成一储存电容。

2.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，该光罩包括一半色调光罩或一灰阶光罩。

3.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，移除部分该图案化光阻层的方法包括等离子灰化步骤。

4.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，在形成该栅极、该下电极、该图案化栅极绝缘层与该半导体层之后，该栅极上方的该图案化光阻层的厚度大于该下电极上方的该图案化光阻层的厚度。

5.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，在形成该半导体材料层之后，还包括在该半导体材料层上形成一欧姆接触材料层。

6.如权利要求5所述的像素结构的制造方法，其特征在于，在形成该源极与该漏极之后，还包括以该源极与该漏极为遮罩进行背通道蚀刻步骤。

7.一种像素结构，包括：

一基板；

一栅极，配置于该基板上；

一下电极，配置于该基板上，并与该栅极电性绝缘；

一图案化栅极绝缘层，配置于该栅极上；

一半导体层，配置于该图案化栅极绝缘层上，且该栅极、该图案化栅极绝缘层与该半导体层具有相同的图案；

一源极与一漏极，配置于该半导体层上；

一图案化保护层，配置于该基板上，并覆盖该下电极，且该图案化保护层具有一接触窗，暴露出部分该漏极；以及

一像素电极，配置于该图案化保护层上，而该像素电极经由该接触窗与该漏极电性连接，且该像素电极与该下电极耦合成一储存电容。

8.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，该像素电极与该下电极之间的距离小于该图案化栅极绝缘层与该图案化保护层的厚度总和。

9.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，还包括一欧姆接触层，配置于该半导体层与该源极之间以及该半导体层与该漏极之间。