[发明专利]具有内置热沉的半导体器件

权利要求书

1.一种用于半导体器件的单厚度引线框架，该引线框架包括：

位于中央的芯片焊盘，具有第一厚度；

多个包围上述芯片焊盘的引线接头，所述引线接头具有和所述第一厚度相等的厚度；

散热器，具有第二厚度；

其中，所述散热器的第一表面粘接在所述芯片焊盘的第一表面上；

所述半导体集成电路粘接在所述散热器的第二表面上。

2.权利要求1中的单厚度引线框架，其中，所述第二厚度大于所述第一厚度。

3.权利要求1中的单厚度引线框架，其中，所述第二厚度大约为8密耳。

4.权利要求1中的单厚度引线框架，其中，所述散热器用焊料粘接在所述芯片焊盘上。

5.权利要求1中的单厚度引线框架，其中，所述芯片焊盘、所述引线接头、所述散热器由铜构成。

6.权利要求1中的单厚度引线框架，其中，所述散热器镀覆了NiPd。

7.权利要求1中的单厚度引线框架，其中，所述散热器和所述芯片焊盘具有基本相同的尺寸。

8.一种半导体器件，包括：

芯片焊盘，具有第一厚度；

多个包围所述芯片焊盘的引线接头，其中，所述引线接头具有与所述第一厚度相等的厚度；

散热器，具有第二厚度，粘接在所述芯片焊盘的第一表面上；

集成电路，粘接在所述散热器的第二表面上；

多个引线，将所述多个引线接头的每个分别与所述集成电路上相应的键合焊盘电连接；和

包围所述集成电路、所述多个引线，以及包围所述引线接头的上表面的模塑成型化合物，其中，所述芯片焊盘的第二表面被暴露在外。

9.权利要求8中的半导体器件，其中，所述引线接头的下表面被暴露在外。

10.权利要求8中的半导体器件，其中，所述芯片焊盘、所述引线接头和所述热沉由铜构成。

11.权利要求10中的半导体器件，其中，所述第二厚度与所述第一厚度相等。

12.权利要求11中的半导体器件，其中，所述散热器镀覆了NiPd。

13.权利要求8中的半导体器件，其中，所述散热器用焊料粘接在所述芯片焊盘上，所述集成电路通过焊料粘接在所述散热器上。

14.一种半导体器件，包括：

第一芯片焊盘，具有第一厚度；

第二芯片焊盘，具有所述第一厚度；

多个包围所述第一和第二芯片焊盘的引线接头，其中，所述引线接头具有与所述第一厚度相等的厚度；

散热器，具有第二厚度，被粘接在所述第一芯片焊盘的第一表面上；

第一集成电路，粘接在所述散热器的第二表面上；

第二集成电路，粘接在所述第二芯片焊盘的第一表面上；

多根引线，将所述多个引线接头的每个分别与相应的所述第一和第二集成电路的键合焊盘电连接；

包围所述第一和第二集成电路、所述多根引线，以及所述引线接头上表面的模塑成型化合物，其中，所述第一和第二芯片焊盘的第二表面被暴露出来。

15.权利要求14中的半导体器件，其中，所述第一集成电路包括功率晶体管。

16.权利要求15中的半导体器件，其中，所述引线接头的下表面被暴露出来。

17.权利要求15中的半导体器件，其中，所述第一和第二芯片焊盘，所述引线接头和所述热沉由铜构成。

18.权利要求17中的半导体器件，其中，所述第二厚度与所述第一厚度相等。

19.权利要求17中的半导体器件，其中，所述散热器镀覆了NiPd。

20.权利要求17中的半导体器件，其中，所述第一集成电路通过焊料粘接在所述散热器上；所述散热器用焊料粘接在所述第一芯片焊盘上。