[发明专利]具有低栅极电阻和缩小源极接触空间的高密度沟槽MOSFET无效
| 申请号： | 200610109651.X | 申请日： | 2006-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN1917233A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 谢福渊 | 申请（专利权）人： | 谢福渊 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人： | 孙刚;赵海生 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 电阻 缩小 接触 空间 高密度 沟槽 mosfet | ||
【权利要求书】：
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