[发明专利]钝化层结构、薄膜晶体管器件及钝化层制造方法

权利要求书

1.一种钝化层结构，其特征在于：该钝化层由底层绝缘薄膜和顶层钝化薄膜组成，顶层钝化薄膜覆盖底层绝缘薄膜。

2.根据权利要求1所述的钝化层结构，其特征在于：所述钝化层的底层绝缘薄膜由氮氧化硅组成。

3.根据权利要求1所述的钝化层结构，其特征在于：所述钝化层的顶层钝化薄膜由四氮化三硅组成。

4.根据权利要求1至3任一所述的钝化层结构，其特征在于：所述底层绝缘薄膜厚度较顶层钝化薄膜的厚度厚。

5.根据权利要求1至3任一所述的钝化层结构，其特征在于：所述底层绝缘薄膜和顶层钝化薄膜相同位置形成有过孔，底层绝缘薄膜过孔尺寸大于顶层钝化薄膜过孔尺寸，顶层钝化薄膜在过孔的侧面完全覆盖底层绝缘薄膜。

6.一种薄膜晶体管器件，包括，形成于基板上的薄膜晶体管器件，形成于薄膜晶体管器件上的钝化层，其特征在于：所述钝化层由底层绝缘薄膜和顶层钝化薄膜组成，底层绝缘薄膜覆盖在薄膜晶体管器件以及整个基板上，顶层钝化薄膜覆盖底层绝缘薄膜上；所述钝化层上形成有过孔，像素电极通过该过孔和薄膜晶体管的金属电极连接。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管器件，其特征在于：所述钝化层的底层绝缘薄膜由氮氧化硅组成。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管器件，其特征在于：所述钝化层的顶层钝化薄膜由四氮化三硅组成。

9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管器件，其特征在于：所述底层绝缘薄膜厚度较顶层钝化薄膜的厚度厚。

10.根据权利要求6至9任一所述的薄膜晶体管器件，其特征在于：所述过孔形成在底层绝缘薄膜和顶层钝化薄膜相同位置，底层绝缘薄膜过孔尺寸大于顶层钝化薄膜过孔尺寸，顶层钝化薄膜在过孔的侧面完全覆盖底层绝缘薄膜。

11.一种钝化层制造方法，其特征在于，包括：

步骤1，在基材上形成一层底层绝缘薄膜，使用掩膜版定义光刻胶的图案，通过腐蚀形成底层绝缘薄膜的过孔；

步骤2，在底层绝缘薄膜上，形成一层顶层钝化薄膜，使用掩膜版定义光刻胶的图案，通过腐蚀形成顶层钝化膜的过孔。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于：所述步骤1中形成底层绝缘薄膜时，形成与基材应力匹配的薄膜。

13.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于：所述步骤1及步骤2中使用掩模版为同一块掩模版。

14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于：所述步骤1及步骤2中使用掩模版定义光刻胶的图案时，底层绝缘薄膜涂敷的光刻胶较顶层钝化薄膜上涂敷的光刻胶厚；底层绝缘薄膜光刻胶曝光量以及曝光时间高于顶层钝化薄膜光刻胶曝光量以及曝光时间的对应值。

15.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于：所述步骤1中腐蚀形成底层绝缘薄膜的过孔使用的是等离子腐蚀的方法。

16.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于：所述步骤2中腐蚀形成顶层钝化绝缘薄膜的过孔使用的是反应离子腐蚀的方法。

17.根据权利要求11至16所述的制造方法，其特征在于：所述步骤1中在基材上形成一层底层绝缘薄膜的基材为半导体器件及其下的基板。

18.根据权利要求17所述的制造方法，其特征在于：所述半导体器件及其下的基板具体为薄膜晶体管及其下的透明绝缘衬底。