[发明专利]内存结构的制备方法

权利要求书

1.一种内存结构的制备方法，其特征是包含下列步骤：

形成多个条状区块于基板上，该基板包含介电结构；

形成局部暴露该条状区块的第一蚀刻屏蔽；

利用该第一蚀刻屏蔽，局部去除该条状区块以形成第二蚀刻屏蔽；

局部去除未被该第二蚀刻屏蔽覆盖的介电结构以形成多个开口于该介电结构中；以及

形成导电插塞于该开口中。

2.根据权利要求1所述的内存结构的制备方法，其特征是形成该第一蚀刻屏蔽的步骤包含：

形成含硅层，其覆盖该多个条状区块；

改变预定部分的含硅层的化学性质；以及

去除该预定部分以外的含硅层，而该预定部分的含硅层形成该第一蚀刻屏蔽。

3.根据权利要求2所述的内存结构的制备方法，其特征是改变预定部分的含硅层的化学性质进行掺杂工艺以将掺质植入该预定部分的含硅层。

4.根据权利要求3所述的内存结构的制备方法，其特征是去除该预定部分以外的含硅层局部去除该条状区块侧壁的含硅层。

5.根据权利要求3所述的内存结构的制备方法，其特征是该掺杂工艺为斜向掺杂工艺，该含硅层包含多晶硅，且该掺质包含二氟化硼。

6.根据权利要求5所述的内存结构的制备方法，其特征是去除该预定部分以外的含硅层利用氨水进行湿蚀刻工艺。

7.根据权利要求1所述的内存结构的制备方法，其特征是形成局部暴露该条状区块的第一蚀刻屏蔽包含：

形成含硅层，其覆盖该多个条状区块；

形成第一掺杂屏蔽，其覆盖预定区域的含硅层；以及

进行第一斜向掺杂工艺以将掺质植入该预定区域以外的含硅层，以改变该含硅层的预定部分的化学性质。

8.根据权利要求7所述的内存结构的制备方法，其特征是另包含：

形成第二掺杂屏蔽，其暴露该预定区域内的含硅层；以及

进行第二斜向掺杂工艺以将掺质植入该预定区域内的含硅层；

其中该第一斜向掺杂工艺的掺杂方向不同于该第二斜向掺杂工艺的掺杂方向。

9.根据权利要求8所述的内存结构的制备方法，其特征是该第一斜向掺杂工艺的掺杂方向相反于该第二斜向掺杂工艺的掺杂方向。

10.根据权利要求7所述的内存结构的制备方法，其特征是还包含形成多个连接该预定区域内的导电插塞的位线接触插塞以及形成多个连接该预定区域外的导电插塞的电容器接触插塞的步骤。

11.根据权利要求7所述的内存结构的制备方法，其特征是局部去除该条状区块以形成第二蚀刻屏蔽的步骤是进行湿蚀刻工艺。

12.根据权利要求11所述的内存结构的制备方法，其特征是该条状区块由介电材料构成，且该湿蚀刻工艺使用缓冲氧化物蚀刻液局部去除该条状区块。

13.根据权利要求11所述的内存结构的制备方法，其特征是该湿蚀刻工艺缩减该条状区块的宽度。

14.根据权利要求13所述的内存结构的制备方法，其特征是该预定区域内的条状区块的宽度缩减方向不同于该预定区域外的条状区块的宽度缩减方向。

15.根据权利要求14所述的内存结构的制备方法，其特征是该预定区域内的条状区块的宽度缩减方向相反于该预定区域外的条状区块的宽度缩减方向。

16.根据权利要求1所述的内存结构的制备方法，其特征是还包含形成含硅层于该介电结构上的步骤，且该条状区块形成于该含硅层上。

17.根据权利要求16所述的内存结构的制备方法，其特征是局部去除未被该第二蚀刻屏蔽覆盖的介电结构以形成多个开口于该介电结构中的步骤包含：

局部去除未被该第二蚀刻屏蔽覆盖的含硅层以形成第三蚀刻屏蔽；以及

局部去除未被该第三蚀刻屏蔽覆盖的介电结构以形成该多个开口。

18.根据权利要求17所述的内存结构的制备方法，其特征是该第二蚀刻屏蔽包含多个第一区块及多个第二区块，且该第一区块与该第二区块以错开方式排列。