[发明专利]含金属化合物颗粒的介电块材及其形成方法

权利要求书

1.一种含金属化合物颗粒的介电块材的形成方法，包括：

在基底上形成堆栈层，该堆栈层包括金属氮化物层以及能隙层；以及

进行处理步骤，使该金属氮化物层形变成多个金属化合物结晶颗粒，散布于该能隙层中。

2.如权利要求1所述的含金属化合物颗粒的介电块材的形成方法，其中该处理步骤包括：

进行回火步骤，使该堆栈层中的该金属氮化物层转变成多个金属氮化物颗粒，散布于该能隙层中；以及

在含氧的环境下，使该些金属氮化物颗粒反应成多个金属化合物结晶颗粒。

3.如权利要求2所述的含金属化合物颗粒的介电块材的形成方法，其中该回火步骤是在氮气、氩气、氢气或氨气的环境中进行。

4.如权利要求1所述的含金属化合物颗粒的介电块材的形成方法，其中该处理步骤包括氧化回火步骤。

5.如权利要求4所述的含金属化合物颗粒的介电块材的形成方法，其中该氧化回火步骤是在含有空气、氧气、一氧化氮或二氧化氮的环境中进行。

6.如权利要求1所述的含金属化合物颗粒的介电块材的形成方法，其中该金属氮化物层包括氮化钛层、氮化锆层或氮化铪层。

7.如权利要求1所述的含金属化合物颗粒的介电块材的形成方法，其中该金属氮化物层的形成方法包括原子层气相沉积法。

8.如权利要求1所述的含金属化合物颗粒的介电块材的形成方法，其中该金属氮化物层的厚度不大于10埃。

9.如权利要求1所述的含金属化合物颗粒的介电块材的形成方法，其中该能隙层的材料选自于Al₂O₃、Ta₂O₅、BaO、ZrO₂、LaAlO₃、La₂O₃、SrO、Y₂O₃、Si₃N₄、Si_xN_y、HfSiO_x、ZrSiO_x、MgO、SiO_x及SiO₂所组成的族群其中之一。

10.一种含金属化合物颗粒的介电块材的形成方法，包括：

在基底上形成堆栈层，该堆栈层包括金属化合物层以及能隙层，该金属化合物层与该能隙层的材料不同；以及

进行回火步骤，使该堆栈层中的该金属化合物层形变成多个金属化合物结晶颗粒，散布于该能隙层中。

11.如权利要求10所述的含金属化合物颗粒的介电块材的形成方法，其中该金属化合物层包括氧化钛层、氧化锆层或氧化铪层。

12.如权利要求10所述的含金属化合物颗粒的介电块材的形成方法，其中该金属化合物层的形成方法包括原子层气相沉积法。

13.如权利要求10所述的含金属化合物颗粒的介电块材的形成方法，其中该金属化合物层的厚度不大于10埃。

14.如权利要求10所述的含金属化合物颗粒的介电块材的形成方法，其中该能隙层的材料选自于Al₂O₃、Ta₂O₅、BaO、ZrO₂、LaAlO₃、La₂O₃、SrO、Y₂O₃、Si₃N₄、Si_xN_y、HfSiO_x、ZrSiO_x、MgO、SiO_x及SiO₂所组成的族群其中之一。

15.一种介电块材，包括：

能隙层；以及

多个金属化合物结晶颗粒，其散布于该能隙层中且其材料与该能隙层不同。

16.如权利要求15所述的介电块材，其中该些金属化合物结晶颗粒包括氧化钛结晶颗粒、氧化锆结晶颗粒或氧化铪结晶颗粒。