[发明专利]清除残余金属的方法

权利要求书

1.一种清除残余金属的方法，包括：

提供基底，该基底上方具有至少一处过渡金属硅化物，且该过渡金属硅化物上方又具有该残余金属；

利用过氧化氢溶液对该过渡金属硅化物作表面氧化处理，该过氧化氢溶液与该过渡金属硅化物反应，并形成保护层在该过渡金属硅化物上方；并且

利用氯化氢和过氧化氢混合物清洗步骤清洗该基底，以清除该残余金属。

2.如权利要求1所述的方法，其中该表面氧化处理和该氯化氢和过氧化氢混合物清洗步骤依次循环进行在该基底上。

3.如权利要求1所述的方法，其中该氯化氢和过氧化氢混合物清洗步骤完成之后，再进行一次表面氧化处理。

4.如权利要求1所述的方法，其中该残余金属包括铂、钯、锰、钽、钌金属其中之一或其组合。

5.如权利要求1所述的方法，其中形成该过渡金属硅化物的方法，包括：

在该基底上方形成栅极结构，该栅极结构两侧的该基底中各具有源极/漏极；

在该基底上方形成金属层；

在该金属层上方形成氮化钛层；并且

进行第一快速热处理工艺，形成该过渡金属硅化物在该栅极结构、该源极/漏极上方。

6.如权利要求5所述的方法，其中该过渡金属硅化物上的该残余金属清除后，进行第二快速热处理工艺，使得该过渡金属硅化物成为金属硅化物。

7.如权利要求6所述的方法，其中该金属硅化物包括有硅化镍、硅化钴、硅化钛其中之一或其组合。

8.一种清除残余金属的方法，包括：

提供基底，该基底上方具有至少一处过渡金属硅化物，且该过渡金属硅化物上方又具有该残余金属；

对该过渡金属硅化物进行表面氧化处理，以在该金属硅化物上方形成保护层；并且

对该基底进行清洗步骤，以清除该残余金属。

9.如权利要求8所述的方法，其中该表面氧化处理和该清洗步骤依次循环进行在该基底上。

10.如权利要求8所述的方法，其中该清洗步骤完成后，再进行一次该表面氧化处理。

11.如权利要求10所述的方法，其中该表面氧化处理包括利用过氧化氢、臭氧其中之一或其组合对该过渡金属硅化物作该表面氧化处理。

12.如权利要求11所述的方法，其中该过氧化氢、该臭氧的表面氧化处理与该清洗步骤在同一工艺设备中进行。

13.如权利要求10所述的方法，其中该表面氧化处理包括利用含氧等离子对该过渡金属硅化物作该表面氧化处理。

14.如权利要求13所述的方法，其中该含氧等离子的表面氧化处理与该清洗步骤在不同工艺设备中进行。

15.如权利要求8所述的方法，其中该清洗步骤选自利用硫酸和过氧化氢混合物、氨盐基和过氧化氢混合物、氯化氢和过氧化氢混合物其中之一及其组合对该基底进行清洗。

16.如权利要求8所述的方法，其中该残余金属包括铂、钯、锰、钽、钌金属其中之一或其组合。

17.如权利要求8所述的方法，其中形成该过渡金属硅化物的方法，包括：

在该基底上方形成栅极结构，该栅极结构两侧的该基底中各具有源极/漏极；

在该基底上方形成金属层；

在该金属层上方形成氮化钛层；并且

进行第一快速热处理工艺，形成该过渡金属硅化物在该栅极结构、该源极/漏极上方。

18.如权利要求17所述的方法，其中该过渡金属硅化物上的该残余金属清除后，进行第二快速热处理工艺，使得该过渡金属硅化物成为金属硅化物。

19.如权利要求18所述的方法，其中该金属硅化物包括硅化镍、硅化钴、硅化钛其中之一或其组合。