[发明专利]侧射型发光二极管的封装结构

说明书

技术领域

本发明是有关于一种发光二极管(light emitting diode；LED)，且特别是有关于一种侧射型发光二极管的封装结构。

背景技术

发光二极管是一种接合二极管，主要由在半导体基板上的p型外延层与n型外延层所构成。在形成外延结构之后，芯片经过切割，接着固定在面板上，然后经过打线，最后再进行封装，形成发光二极管发光灯泡。一般而言，发光二极管使用的封装材料为环氧树脂(Epoxy)。

发光二极管种类繁多、用途广泛，早已成为现代生活中不可或缺的重要工具之一。一般发光二极管主要系用于照明或警示，例如应用在家电、音响及仪表的指示灯；传真机、条形码阅读机及光学鼠标的光源；以及应用在手机、个人数字助理(personal digital assistant；PDA)、液晶显示器中的背光模块及其它电子产品内。

随着手机、PDA、背光模块等电子产品的发展，发光二极管之发光功率的要求也越来越高。因此，如何使LED所发出的光线可以充分被利用，为目前重要考虑项目之一。传统上，提高LED亮度的方法不外乎是改变LED的封装结构或是改变LED芯片结构。然而，当改变LED的封装结构时，例如使用折射率较大的封装材料来覆盖芯片等，则其所能提高的整体亮度有限。因为光线在传递的过程中，光线会被LED芯片的部分结构或本身所使用的部分材料，例如LED芯片中的半导体外延结构或电极等，吸收而降低了光线的使用率。所以，即使使用折射率较大的封装材料，也无法大幅提高整体的亮度。但是，若改变LED芯片结构时，例如粗化LED芯片的表面、使用不同的外延材料、或是在LED芯片的底部形成反射结构等，又会在后续封装LED芯片时，因为LED芯片的发光位置、或LED芯片所发出的光线形状(light pattern)等因素，而影响封装完的LED整体亮度。如此一来，则无法再进一步提高发光二极管封装结构的整体亮度。因此，欲制造出一种高亮度的发光二极管封装结构，确实是一种极为困难的技术挑战。

因此，有必要提供一种改良式的发光二极管封装结构，以解决上述问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种侧射型发光二极管的封装结构。

为达到上述目的，本发明提供的侧射型发光二极管的封装结构包含基座、二电极、发光二极管芯片、封装材料以及导线架。其中，基座具有一凹陷部。二电极系设置于凹陷部底部。发光二极管芯片系设置于凹陷部底部上并与二电极电性连接。其中，发光二极管芯片之基板的厚度系大于140微米。进一步，该基板的厚度可为140微米至400微米。更进一步，该基板的厚度还可为190微米至240微米。

进一步的，上述封装材料是填入凹陷部内，以封装发光二极管芯片。导线架是设置于基座的两侧，且与二电极电性连接。

进一步的，更可以依需求于基座之凹陷部的内侧壁上设置一反射层，以进一步提高亮度。

因此，由上述本发明的内容可知，与现有技术相比，本发明的侧射型发光二极管封装结构具有较高的发光效率，其亮度约可增加30％。再者，由于本发明是利用一厚度较厚的基板来增加LED芯片侧边的出光量，所以不仅可以具有较高的发光效率，而且更可以得到体积较小的发光二极管封装结构。

附图说明

图1是一种发光二极管封装结构的剖面结构示意图；

图2是沿着图1中线段I-I’的剖面示意图；

图3是图1中发光二极管芯片的剖面放大示意图。

其中附图标记为

100：发光二极管封装结构    102：基座

104：二电极                104a：第一电极

104b：第二电极             106：导线架

108：发光二极管芯片         108a：基板

108b：活化层                109：光线

110a、110b：导线            112：封装材料

114：凹陷部                 114a：上部宽度

具体实施方式

下面结合附图详细说明本发明的具体实施方式：