[发明专利]半导体组件保护结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体组件保护结构，主要包括芯片、基板、保护薄膜、焊锡球及电性接触片，其特征在于，所述芯片，在其上表面具有复数个电性接触片；

复数个导电球，连接至该电性接触片；

所述基板，附着至该芯片下表面之上；

还包括一缓冲层，形成于该基板之上，并且邻接该芯片；以及

第二缓冲层，其中该基板是结合于该第二缓冲层之上，使得该第二缓冲层包围整个基板，藉以降低当该基板的侧边受到一外力时对该基板的损害。

2.按照权利要求1所述的半导体组件保护结构，其特征在于：所述该基板包含倾斜的侧壁开孔形成于其中，所述的第二缓冲层填入该倾斜的侧壁开孔之中，其中所述倾斜的侧壁开孔的深度略小于该基板的厚度。

3.按照权利要求1所述的半导体组件保护结构，其特征在于：还包含一保护层覆盖该电性接触片并露出该电性接触片，以利于该复数个导电球电性连接至一外部部件，其中该保护层之材料系包含硅橡胶、BCB、硅氧烷聚合物、环氧树脂、聚亚酰胺或树脂。

4.按照权利要求1所述的半导体组件保护结构，其特征在于：基板包含硅、玻璃、合金42、石英、陶瓷、印刷电路板或软质基板。

5.按照权利要求1所述的半导体组件保护结构，其特征在于：所述该第一缓冲层与第二缓冲层的材料包含硅橡胶、BCB、硅氧烷聚合物、环氧树脂、聚亚酰胺或树脂。

6.一种半导体组件保护结构，主要包括芯片、基板、保护薄膜、焊锡球及电性接触片，其特征在于，

所述芯片，具有复数个电性接触片于该芯片的上表面之上；

复数个导电球，连接至该电性接触片；

所述基板，附着至该芯片的下表面之上；以及

还包括缓冲层，其中该基板是结合于该缓冲层之上，使得该缓冲层包围整个该基板，藉以降低当该基板之侧边受到一外力时对该基板之损害。

7.按照权利要求6所述的半导体组件保护结构，其特征在于：所述基板包含复数个侧壁开孔形成于其中，所述缓冲层填入该复数个侧壁开孔之中，以及其中所述侧壁开孔的深度略小于该基板的厚度。

8.按照权利要求6所述的半导体组件保护结构，其特征在于：还包含一保护层覆盖该电性接触片并露出该电性接触片，以利于该复数个导电球电性连接至一外部部件，其中该保护层之材料系包含硅橡胶、BCB、硅氧烷聚合物、环氧树脂、聚亚酰胺或树脂。

9.按照权利要求6所述的半导体组件保护结构，其特征在于：所述该基板包含硅、玻璃、合金42、石英、陶瓷、印刷电路板或软质基板。

10.按照权利要求6所述的半导体组件保护结构，其特征在于：其中所述缓冲层的材料包含硅橡胶、BCB、硅氧烷聚合物、环氧树脂、聚亚酰胺或树脂。

11.一种半导体组件保护结构的制造方法，其特征在于：按照如下步骤操作：

提供复数个芯片，该芯片具有复数个导电球形成于其上；

附着该复数个芯片于一基板之上；

形成一第一缓冲层在该基板之上，以及邻接该芯片，以露出复数个导电球；

移除部分该基板以形成复数个开孔约略对准该第一缓冲层；以及

形成一第二缓冲层于该基板之上，并且填满该复数个开孔。

12.按照权利要求11所述的半导体组件保护结构的制备方法，其特征在于：还包含沿着该开孔的大致中心处切割或刻蚀该基板的一项步骤，而成为复数个个别的半导体组件保护结构。

13.按照权利要求11所述的半导体组件保护结构的制备方法，其特征在于：该方法开孔包含倾斜的侧壁开孔，其中该倾斜的侧壁开孔之一深度略小于该基板之厚度。

14.一种半导体组件保护结构的制造方法，其特征在于：按照如下步骤操作：

提供一基板具有复数个芯片，该芯片具有复数个导电球形成于其上；

移除部分该基板之背面，以形成复数个开孔；以及

形成一缓冲层于该基板之上，并且填满于该复数个开孔之中。

15.按照权利要求14所述的半导体组件保护结构的制造方法，其特征在于：还包含沿着该开孔之大致中心切割或刻蚀该基板的这一步骤，而成为复数个个别的半导体组件保护结构。