[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610111749.9 | 申请日： | 2006-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101064296A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 曹荣志;陈科维;张世杰;林俞谷;王英郎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包括：
一基底；
一介电层，覆盖于该基底上，其中于该介电层中形成有一开口；
一第一阻障层，覆盖于该开口的侧壁；
一第二阻障层，覆盖于该第一阻障层上与该开口的底部；以及
一导电层，填入该开口。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该开口包括一沟槽、一介层窗或其组合。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一阻障层包括氮化钽或氮化钛。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二阻障层包括钽或钛。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二阻障层的厚度是低于100埃。
6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置的制造方法包括：
提供一基底；
形成一介电层于该基底上；
形成一开口于该介电层中；
沉积一第一阻障层于该开口的底部与侧壁；
再溅镀该第一阻障层，以移除位于该开口底部的第一阻障层；
沉积一第二阻障层于该第一阻障层上与该开口底部；
再溅镀该第二阻障层；以及
填入一导电层于该开口中。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该开口包括一沟槽、一介层窗或其组合。
8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该第一阻障层包括氮化钽或氮化钛。
9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该第二阻障层包括钽或钛。
10.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，再溅镀该第一阻障层与第二阻障层的压力介于0.01毫托～100毫托，温度介于-40摄氏度～200摄氏度，以及功率介于600瓦～1,000瓦。
11.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，再溅镀量与沉积量的比例是不大于0.6。
12.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，再溅镀量与沉积量的比例是为0.5。
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