[发明专利]多芯片堆栈式的封装结构

权利要求书

1.一种多芯片堆栈式的封装结构，包含基板，其上设置有多个金属端点以及多芯片堆栈结构，是由多个芯片堆栈而成，且该多芯片堆栈结构固接于该基板上并由多条金属导线将该多芯片堆栈结构与该基板上的该多个金属端点电连接，此多芯片堆栈式的封装结构的特征在于：

该多芯片堆栈结构中的每一芯片的主动面上设置有多个焊垫以及每一该芯片的相对于该主动面的背面上设置绝缘层，且该多个芯片之间通过黏着层将该每一芯片的该主动面与另一芯片背面上的该绝缘层接合以形成该多芯片堆栈结构，并通过该多条金属导线将该多个芯片上的该多个焊垫与该基板上的该多个金属端点电连接。

2.根据权利要求1所述的多芯片堆栈式的封装结构，其特征在于该黏着层为高分子材料。

3.根据权利要求1所述的多芯片堆栈式的封装结构，其特征在于该黏着层为B阶材料。

4.根据权利要求1所述的多芯片堆栈式的封装结构，其特征在于该绝缘层为胶膜或B阶材料。

5.根据权利要求1所述的多芯片堆栈式的封装结构，其特征在于该基板为电路板。

6.根据权利要求1所述的多芯片堆栈式的封装结构，其特征在于该基板为导线架。

7.一种多芯片堆栈式的封装结构，包含基板，其上设置有多个金属端点以及多芯片堆栈结构，是由多个芯片堆栈而成，且该多芯片堆栈结构固接于该基板上并由多条金属导线将该多芯片堆栈结构与该基板上的该多个金属端点电连接，此多芯片堆栈式的封装结构的特征在于：

该多芯片堆栈结构中的每一芯片的主动面上设置有多个焊垫以及每一该芯片的相对于该主动面的背面上设置绝缘层，且该多个芯片之间通过混合有多个近似球状物体于其中的黏着层将该每一芯片的该主动面与另一芯片背面上的该绝缘层接合以形成堆栈结构并通过多条金属导线将该多个芯片上的该多个焊垫与该基板上的该多个金属端点电连接。

8.根据权利要求7所述的多芯片堆栈式的封装结构，其特征在于该近似球状物体为一种高分子材料。

9.根据权利要求7所述的多芯片堆栈式的封装结构，其特征在于该近似球状物体的高度为35～200um。

10.一种多芯片堆栈式的封装结构，包含：导线架，是由多个成相对排列的内引脚以及芯片承座，该芯片承座位于多个相对排列的内引脚之间，且该芯片承座具有上表面与相对于该上表面的下表面以及多芯片堆栈结构，是由多个芯片堆栈而成，且该多芯片堆栈结构固接于该芯片承座的上表面上并由多条金属导线将该多芯片堆栈结构与该多个成相对排列的内引脚电连接，此多芯片堆栈式的封装结构的特征在于：

该多芯片堆栈结构中的每一芯片的主动面上设置有多个焊垫以及每一该芯片的相对于该主动面的背面上设置绝缘层，且该多个芯片之间通过混合有多个近似球状物体于其中的黏着层，将该每一芯片的该主动面与另一芯片背面上的该绝缘层接合以形成堆栈结构并通过多条金属导线将该多个芯片上的该多个焊垫与该导线架上的该多个成相对排列的内引脚电连接。

11.根据权利要求10所述的多芯片堆栈式的封装结构，其特征在于该近似球状物体为一种高分子材料。

12.根据权利要求10所述的多芯片堆栈式的封装结构，其特征在于该近似球状物体的高度为35～200um。

13.一种多芯片堆栈式的封装结构，包含导线架，是由多个成相对排列的内引脚以及芯片承座，该芯片承座位于多个相对排列的内引脚之间，且该芯片承座具有上表面与相对于该上表面的下表面以及多个多芯片堆栈结构，每一该多芯片堆栈结构是由多个芯片堆栈而成，且该多个多芯片堆栈结构分别固接于该导线架的上表面及下表面，并由多条金属导线将该多个多芯片堆栈结构与该多个成相对排列的内引脚电连接，此多芯片堆栈式的封装结构的特征在于：

该多个多芯片堆栈结构中的每一该芯片的主动面上设置有多个焊垫以及每一该芯片的相对于该主动面的背面上设置绝缘层，且该多个芯片之间通过混合有多个近似球状物体于其中的黏着层将该每一芯片的该主动面与另一芯片背面上的该绝缘层接合以形成堆栈结构并通过多条金属导线将该多个芯片上的该多个焊垫与该导线架的多个成相对排列的内引脚电连接。