[发明专利]全桥式换流装置

权利要求书

1.一种全桥式换流装置，其特征在于，连接于一变压器一次侧的二端，是将一直流电源转换为一交流电源，包括有：

一推挽式控制芯片，是设有一第一输出端与一第二输出端，该第一输出端与该第二输出端分别输出占空比小于50％的一第一控制信号与一第二控制信号；

一第一开关，耦接于该第一输出端；

一第一SCR开关，该第一SCR开关的栅极耦接于该第一开关，该第一SCR开关的阳极耦接于该直流电源；

一第一N信道场效晶体管，该第一N信道场效晶体管的栅极耦接于该第一SCR开关的阴极，该第一N信道场效晶体管的漏极耦接于该直流电源，该第一N信道场效晶体管的源极耦接于该变压器一次侧的一端；

一第二N信道场效晶体管，该第二N信道场效晶体管的栅极透过该第一缓冲电路耦接于该第一输出端，该第二N信道场效晶体管的漏极耦接于该第一N信道场效晶体管的源极，该第二N信道场效晶体管的源极耦接到一参考端；

一第二开关，耦接于该第二输出端；

一第二SCR开关，该第二SCR开关的栅极耦接于该第二开关，该第二SCR开关的阳极耦接于该直流电源；

一第三N信道场效晶体管，该第三N信道场效晶体管的栅极耦接于该第二SCR开关的阴极，该第三N信道场效晶体管的漏极耦接于该直流电源，该第三N信道场效晶体管的源极耦接于该变压器一次侧的另一端；及

一第四N信道场效晶体管，该第四N信道场效晶体管的栅极透过该第二缓冲电路耦接于该第二输出端，该第四N信道场效晶体管的漏极耦接于该第三N信道场效晶体管的源极，该第四N信道场效晶体管的源极耦接到该参考端。

2.如权利要求1所述的全桥式换流装置，其特征在于，该直流电源经由第一N信道场效晶体管与该第四N信道场效晶体管的导通，提供一正直流电源给该变压器，以形成一正半周驱动。

3.如权利要求1所述的全桥式换流装置，其特征在于，该直流电源经由第二N信道场效晶体管与该第三N信道场效晶体管的导通，提供一负直流电源给该变压器，以形成一负半周驱动。

4.如权利要求1所述的全桥式换流装置，其特征在于，进一步包括有一第一缓冲电路，该第一缓冲电路包括有：

一第一加速二极管，其负极(N)端耦接该推挽式控制芯片的第一输出端，其正极(P)端耦接到该第一开关的控制端；

一第一电阻，是并联耦接于该第一加速二极管；

一第二加速二极管，其负极(N)端耦接到该推挽式控制芯片的第一输出端，其正极(P)端是耦接该第二N信道场效晶体管的栅极；及

一第二电阻，是并联耦接于该第二加速二极管。

5.如权利要求1所述的全桥式换流装置，其特征在于，进一步包括有一第二缓冲电路，该第二缓冲电路包括有：

一第三加速二极管，其负极(N)端耦接该推挽式控制芯片的第二输出端，其正极(P)端耦接到该第二开关的控制端；

一第三电阻，是并联耦接于该第三加速二极管；

一第四加速二极管，其负极(N)端耦接到该推挽式控制芯片的第二输出端，其正极(P)端是耦接该第四N信道场效晶体管的栅极；及

一第四电阻，是并联耦接于该第四加速二极管。

6.如权利要求1所述的全桥式换流装置，其特征在于，进一步包括有一第一电容器，该第一电容器是耦接于该第一N信道场效晶体管的栅-源极间。

7.如权利要求1所述的全桥式换流装置，其特征在于，进一步包括有一第二电容器，该第二电容器是耦接于该第三N信道场效晶体管的栅-源极间。

8.如权利要求1所述的全桥式换流装置，其特征在于，该第一SCR开关可由一PNP晶体管耦接一NPN晶体管等效组成。

9.如权利要求1所述的全桥式换流装置，其特征在于，该第二SCR开关可由一PNP晶体管耦接一NPN晶体管等效组成。

10.如权利要求1所述的全桥式换流装置，其特征在于，该第一开关可为一光偶合开关。