[发明专利]应用于封装的卷带结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种卷带的结构，尤其涉及一种应用在半导体封装的卷带结构。

背景技术

现今许多的驱动芯片都采用Bare Die的构装工艺来制造，而Bare Die构装大都使用卷带来进行封装。实际上的卷带式封装则包括卷带式承载(Tape Carrier Package；TCP)封装与卷带式薄膜覆晶(Chip on Film；COF)封装等类型。就现阶段而言，液晶显示面板(LCD Panel)上的驱动芯片，大都以卷带承载封装(TCP)或是卷带式薄膜覆晶(COF)来作为主要的封装方式。

卷带式封装工艺中所采用的卷带是在聚亚酰胺(polyimide，PI)上形成包括有内引脚(Inner Lead)与外引脚(Outer Lead)及连接内外引脚电路的图案，然后用一种防焊料将连接内外引脚电路的图案覆盖，而曝露出内外引脚。例如在卷带承载封装(TCP)工艺中所采用的内部接合技术主要为卷带式晶粒自动接合(TAB)，工艺技术大致可区分成两段：内引脚接合(Inner Lead Bonding：ILB)；外引脚接合(Outer Lead Bonding：OLB)，其是利用搭载有金属引脚的卷带以内引脚接合技术完成与芯片的联机。与传统打线接合(Wire Bonding)技术相比较，卷带承载封装的优点在于可缩小芯片的金属焊垫间距(Pad Pitch)。

图1是已有技术的卷带式承载封装的卷带示意图。一般的卷带可分割成多个区域10，每一个区域10中包含有多个金属引脚12(内引脚或外引脚)与多个分布于卷带两侧边缘的穿透孔14(holes)。此外，区域10的两侧边缘处还可以镀上金属层16，其中还有多个穿透孔14设置于金属层16间；同时，卷带上具有矩形的芯片接合区域18，以便让芯片主动面上的金属凸点通过矩形区域处与卷带上的内金属引脚连接，如图1A所示。另外，卷带式封装的卷带亦可以是一种卷带式薄膜覆晶(COF)的卷带，如图1B所示。在图1B中，因COF卷带的内引脚12是直接附着于卷带上，因此可达到Pad Pitch 40μm以下的细间距要求，此外，COF卷带亦具有矩形的芯片接合区域18，以便让芯片主动面上的金属凸点通过矩形区域处与卷带上的内金属引脚连接，同时还可以与TCP共享设备。

为了达到抗静电防护并强化卷带的强度，在已有技术中，是在卷带的两侧分别形成一金属层。由于已有技术的金属层的宽度较大，其宽度区域涵盖整个穿透孔，虽然能够有效增加穿透孔的强度，同时能用于抗静电防护，但也可能在卷带传动时产生粒子问题，对先进高密度封装的产品的合格率产生影响。因此本发明提出一种具有金属微带的卷带结构，不仅可以大幅度缩小金属层的面积，还可以具有原本抗静电防护以及增加穿透孔(hole)强度的作用。

发明内容

鉴于上述的发明背景中，为了符合产业上某些利益的需求，本发明提供一种具有金属微带的卷带结构，可用以缩小上述传统的金属层的面积。

本发明的主要目的在于提供一种卷带式薄膜覆晶封装的卷带，为高分子材料所形成的软基板，其上分割成多个区域且每个区域中包括矩形的芯片接合区域及分布于矩形芯片接合区域四周的多个金属引脚，其中卷带的特征为：在卷带上的切割线及卷带两侧边缘之间设置一金属微带。

本发明的另一主要目的在于提供一种卷带式封装的卷带，为高分子材料所形成的软基板，其上分割成多个区域且每个区域中包括矩形的芯片接合区域及分布于矩形的芯片接合区域四周的多个金属引脚，其中该卷带的特征为：卷带的两侧边缘上均设置一金属微带。

本发明的再一主要目的在于提供一种卷带式封装的卷带，为高分子材料所形成的软基板，卷带的两侧边缘附近设置有多个穿透孔，并于卷带上分割成多个区域且每个区域中包括矩形的芯片接合区域及分布于矩形的芯片接合区域至少一端面上的多个金属引脚，其中卷带的特征为：穿透孔四周均有一线宽的金属层，并且以至少平行于该卷带两侧边缘的金属微带来连接每一该穿透孔。

附图说明

图1是已有技术中金属微带的示意图；

图2A～2C是本发明的卷带式承载封装的卷带结构俯视图；

图3是本发明的无穿透孔的卷带式承载封装的卷带结构的俯视图；

图4A～4D是本发明的卷带式薄膜覆晶封装的卷带结构俯视图；以及

图5A～5B是本发明的无穿透孔的卷带式薄膜覆晶封装的卷带结构俯视图

主要元件标记说明

10 区域

12 内引脚

14 穿透孔

16 金属层

18 芯片接合区域