[发明专利]蚀刻设备在线故障诊断的方法有效
| 申请号： | 200610112567.3 | 申请日： | 2006-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101131916A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 陈卓;李荣甫;张善贵 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇;王连军 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 设备 在线 故障诊断 方法 | ||
1.一种蚀刻设备在线故障诊断的方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、选取工艺过程中多个参数，将工艺过程中多个参数进行数学运算得到新的参数，所述新的参数的变化量比单一参数的变化量明显；
B、根据需要设定控制界限，根据新的参数及控制界限判断蚀刻设备的运行状态，如果新的参数值超出控制界限时，则：
判断蚀刻设备为故障状态。
2.根据权利要求1所述的蚀刻设备在线故障诊断的方法，其特征在于， 所述的步骤A还包括对多个参数逐渐上升或逐渐下降或突变的的变化趋势进行修正，使新的参数的变化趋势接近同一水平线；
所述的步骤B还包括控制界限设置在新的参数的水平变化趋势的两侧。
3.根据权利要求2所述的蚀刻设备在线故障诊断的方法，其特征在于，所述工艺过程中多个参数包括第一参数和第二参数，且第一参数和第二参数变化的趋势相同；
将第一参数和第二参数相减或相除并叠加系数进行数学运算，得到新的参数。
4.根据权利要求2所述的蚀刻设备在线故障诊断的方法，其特征在于，所述工艺过程中多个参数包括第一参数和第二参数，且第一参数和第二参数变化的趋势相反；
将第一参数和第二参数相加或相乘并叠加系数进行数学运算，得到新的参数。
5.根据权利要求4所述的蚀刻设备在线故障诊断的方法，其特征在于，所述第一参数为上匹配器电容位置随硅片加工数量增加的变化量；
所述第二参数为使用射频时间随硅片加工数量增加的变化量。
6.根据权利要求2所述的蚀刻设备在线故障诊断的方法，其特征在于，所述工艺过程中多个参数包括第一参数和第二参数，且第一参数和第二参数在同一位置发生突变；
将第一参数和第二参数相加、相减、相乘或相除并叠加系数进行数学运算，得到新的参数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
