[发明专利]三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器

权利要求书

1.一种三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，其特征在于，包括：

一衬底；

一二氧化硅掩埋层，该二氧化硅掩埋层位于衬底上；

一n型单晶硅层，该n型单晶硅层为衬底上的单晶硅，制作成凹槽结构；

一n+注入层，该n+注入层制作在n型单晶硅层两侧的平面上；

一横向栅氧化层和一纵向栅氧化层，制作在n型单晶硅层上的凹槽内壁面；

一p型单晶硅层，该p型单晶硅层制作在n型单晶硅层的凹槽结构内，该p型单晶硅层和n型单晶硅层一起形成脊形波导结构；

一p+注入层，该p+注入层制作在p型单晶硅层的上面；

金属接触层，该金属接触层制作在p+注入层上面的中间位置及n+注入层上面的中间位置，分别形成调制器的正负电极；

一氧化层，该氧化层制作在n型单晶硅层和p型单晶硅层的表面，起到保护作用。

2.根据权利要求1所述的三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，其特征在于，其中纵向栅氧化层的厚度为10nm，越薄的栅氧化层厚度越有利于调制效率的提高。

3.根据权利要求1所述的三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，其特征在于，其中横向栅氧化层的厚度为10nm，越薄的栅氧化层厚度越有利于调制效率的提高。

4.根据权利要求1所述的三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，其特征在于，其中横向栅氧化层和纵向栅氧化层夹在n型单晶硅层和p型单晶硅层之间，起到将n型单晶硅层和p型单晶硅层绝缘的作用，形成电容结构。

5.根据权利要求1所述的三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，其特征在于，其中p+注入层的注入深度应该小于0.5μm，以减小重掺杂欧姆接触对光场的吸收损耗，p+注入层的厚度越薄越有利于减小吸收损耗。

6.根据权利要求1所述的三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，其特征在于，其中n+注入层的注入深度应该小于0.5μm，以减小重掺杂欧姆接触对光场的吸收损耗，n+注入层的厚度越薄越有利于减小吸收损耗。

7.根据权利要求1所述的三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，其特征在于，其中使用SOI衬底制作器件，利用到SOI的二氧化硅掩埋层起到限制光场的作用，从而将光场限制在脊形波导区域，减小光场向衬底的泄露损耗。