[发明专利]气体注射装置无效
| 申请号： | 200610113142.4 | 申请日： | 2006-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN101145522A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 林盛 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23F1/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇;王连军 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 气体 注射 装置 | ||
1.一种气体注射装置，用于向反应腔室供工艺气体，包括喷嘴，其特征在于，所述的喷嘴为柱状体，其内部设有封闭空腔，所述封闭空腔设有进气口，封闭空腔的下部侧壁上还设有多个出气口，工艺气体依次经过进气口、封闭空腔、出气口进入反应腔室。
2.根据权利要求1所述的气体注射装置，其特征在于，所述的多个出气口的方向与喷嘴纵向轴线的垂直面的夹角为-80°～+80°。
3.根据权利要求2所述的气体注射装置，其特征在于，所述的多个出气口的方向与喷嘴纵向轴线的垂直面的夹角为-20°～+20°。
4.根据权利要求3所述的气体注射装置，其特征在于， 所述的多个出气口的方向与喷嘴的纵向轴线垂直。
5.根据权利要求1至4任一项所述的气体注射装置，其特征在于，所述的多个出气口分布在同一与喷嘴纵向轴线垂直的平面上。
6.根据权利要求1至4任一项所述的气体注射装置，其特征在于，所述的多个出气口分布在不同的与喷嘴纵向轴线垂直的平面上。
7.根据权利要求1至4任一项所述的气体注射装置，其特征在于，所述的出气口的横截面的形状为圆形、椭圆形、或多边形。
8.根据权利要求1至4任一项所述的气体注射装置，其特征在于，所述的多个出气口的数量大于等于4，且均匀分布。
9.根据权利要求1至4任一项所述的气体注射装置，其特征在于，所述出气口的截面积大于等于0.2平方毫米。
10.根据权利要求1所述的气体注射装置，其特征在于， 所述的喷嘴为圆柱体或椭圆柱体或多边形柱体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
