[发明专利]一种金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法无效
| 申请号： | 200610113211.1 | 申请日： | 2006-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101148253A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈卓;刘忠范;吴忠云;童廉明 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属性 半导体 性单壁碳 纳米 同步 分离 组装 方法 | ||
1.一种金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法，其特征在于，包括如下步骤：
制备金电极的步骤；
在电极上刻出间隙的步骤；
将上述电极浸入到单壁碳纳米管的DMF溶液的步骤；
施加电场的步骤。
2.如权利要求1所述的金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法，其特征在于，
所述制备金电极的步骤是通过常规光刻在含厚度为100nm～1000nm二氧化硅的SiO2/Si衬底上制备金电极，金通过钛粘结层与基底相连电极的高度为50～200nm。
3.如权利要求1所述的金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法，其特征在于，
在电极上蚀刻间隙的步骤是通过聚焦离子束刻蚀的方法在电极上刻出2～18个长1μm～10μm、宽500nm～1000nm、深50nm～200nm的间隙。
4.如权利要求1所述的金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法，其特征在于，
在加电场的步骤中，施加的电场大小为2～8V，频率为1～10MHz，施加时间为5～60分钟。
5.如权利要求1所述的金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法，其特征在于，
所述制备金电极的步骤是通过常规光刻在含厚度为200nm～800nm二氧化硅的SiO2/Si衬底上制备金电极，金通过钛粘结层与基底相连电极的高度为60～150nm。
6.如权利要求1所述的金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法，其特征在于，
在电极上蚀刻间隙的步骤是通过聚焦离子束刻蚀的方法在电极上刻出3～15个长2μm～8μm、宽600nm～900nm、深80nm～180nm的间隙。
7.如权利要求1所述的金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法，其特征在于，
在加电场的步骤中，施加的电场大小为3～6V，频率为2～8MHz，施加时间为5～50分钟。
8.如权利要求1所述的金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法，其特征在于，
所述制备金电极的步骤是通过常规光刻在含厚度为250nm～500nm二氧化硅的SiO2/Si衬底上制备金电极，金通过钛粘结层与基底相连电极的高度为80～120nm。
9.如权利要求1所述的金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法，其特征在于，
在电极上蚀刻间隙的步骤是通过聚焦离子束刻蚀的方法在电极上刻出3～12个长2μm～6μm、宽700nm～850nm、深120nm～160nm的间隙。
10.如权利要求1所述的金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法，其特征在于，
在加电场的步骤中，施加的电场大小为3～4.5V，频率为3～6MHz，施加时间为10～40分钟。
11.如权利要求1～权利要求10的任意一项权利要求所述的金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法，其特征在于，
在所述的将上述电极浸入到单壁碳纳米管的DMF溶液的步骤中，将所述电极浸入到浓度为5mg/L～10mg/L的单壁碳纳米管DMF溶液中。
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