[发明专利]单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法无效
| 申请号： | 200610113212.6 | 申请日： | 2006-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101150088A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;焦丽颖;现晓军;张莹莹;张锦 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单壁碳 纳米 轴向 能带 调控 实现 方法 | ||
1.一种单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法，其步骤包括：
(1)在SiO2/Si衬底上构建多个凸起和/或凹陷的微纳结构；
(2)在衬底的一端采用微接触印刷法沉积催化剂，利用化学气相沉积方法生长超长单壁碳纳米管阵列；
(3)碳纳米管阵列搭在衬底上的微纳结构上，使得碳纳米管的能带结构沿轴向被调控。
2.如权利要求1所述的单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法，其特征在于：步骤1中，在SiO2/Si衬底上蒸镀金属、半导体材料或绝缘体材料的一种或多种，构建凸起微纳结构。
3.如权利要求1所述的单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法，其特征在于：步骤1中，在SiO2/Si衬底上通过微接触印刷技术沉积分子层，构建凸起微纳结构。
4.如权利要求1、2或3所述的单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法，其特征在于：步骤1中，在SiO2/Si衬底上直接采用电子束刻蚀、反应离子刻蚀凹槽，构建凹陷微纳结构。
5.如权利要求4所述的单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法，其特征在于：步骤1之后，在凹槽内分别填充金属、半导体材料或绝缘材料的一种或多种。
6.如权利要求1所述的单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法，其特征在于：步骤1中构建的微纳结构为宽度不相同的线条形结构。
7.如权利要求1或6所述的单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法，其特征在于：步骤2中，在碳纳米管生长过程中施加一气流，气流的方向与微纳结构垂直。
8.如权利要求1所述的单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法，其特征在于：步骤2中，催化剂为FeCl3溶液，其浓度范围为5×10-3～2×10-2mol·L-1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
