[发明专利]一种光子晶体减慢光速效应的测量方法及测量装置

权利要求书

1.一种光子晶体减慢光速效应的测量方法，包括如下步骤：

1)在半导体芯片上依次放置一二维半导体光子晶体激光器和一二维半导体光子晶体波导，所述二维半导体光子晶体波导的区域与二维半导体光子晶体激光器的输出激光场有交叠，使激光与波导耦合；

2)对所述半导体光子晶体激光器进行泵浦，产生边发射激光，边发射激光与光子晶体波导耦合，实现二维半导体光子晶体激光器与光子晶体波导耦合输出；

3)激光腔中产生空间烧孔效应，出射多模振荡激光；

4)通过光纤将出射激光耦合入光栅光谱仪；

5)通过分析光谱特征，测得光速减慢信息。

2.根据权利要求1所述光子晶体减慢光速效应的测量方法，其特征在于，所述步骤2)中所述的二维半导体光子晶体激光器是光泵浦或是电注入泵浦。

3.根据权利要求1所述光子晶体减慢光速效应的测量方法，其特征在于，所述的二维半导体光子晶体激光器是在空气桥类型的平板上实现，或在比所述平板材料折射率低的材料所覆盖的平板上实现，或者是在半导体覆盖的平板上实现。

4.根据权利要求1所述光子晶体减慢光速效应的测量方法，其特征在于，所述的二维光子晶体激光器发出的激光是侧向输出。

5.根据权利要求1所述光子晶体减慢光速效应的测量方法，其特征在于，所述的激光输出发出的激光波长范围在0.4微米～2000微米。

6.根据权利要求1所述光子晶体减慢光速效应的测量方法，其特征在于，所述的半导体材料为GaN/AlGaN材料、GaAs/AlGaAs材料、InP/InGaAsP、GaSb/InGaSb材料。

7.一种光子晶体减慢光速效应的测量装置，包括：

一二维半导体光子晶体激光器；

一用于泵浦所述二维半导体光子晶体激光器的泵浦源；

一二维半导体光子晶体波导与所述二维半导体光子晶体激光器依次设置在半导体芯片上，所述二维半导体光子晶体波导的区域与所述二维半导体光子晶体激光器的输出激光场有交叠，使激光与波导耦合；

一光纤连接于所述二维半导体光子晶体波导与一光栅光谱仪之间。

8.根据权利要求7所述光子晶体减慢光速效应的测量装置，其特征在于，所述泵浦源是光泵浦源或者是电注入泵浦源。

9.根据权利要求7所述光子晶体减慢光速效应的测量装置，其特征在于，所述的二维光子晶体激光器发出的激光是侧向输出。

10.根据权利要求7所述光子晶体减慢光速效应的测量装置，其特征在于，所述的激光在二维光子晶体波导中产生振荡，其中通过改变波导的长度，使对于Vg＝0的导波模形成的共振腔的腔长变短，减少共振的模式。