[发明专利]一种双面高温超导薄膜多层结构及其制备方法无效
申请号: | 200610113749.2 | 申请日: | 2006-10-13 |
公开(公告)号: | CN101162626A | 公开(公告)日: | 2008-04-16 |
发明(设计)人: | 李弢;古宏伟;杨坚;王霈文 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院 |
主分类号: | H01B12/06 | 分类号: | H01B12/06;H01B13/00;H01L39/02;H01L39/24;B32B5/00 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双面 高温 超导 薄膜 多层 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种双面高温超导薄膜多层结构,包括低成本非单晶氧化物基片,所述低成本非单晶氧化物基片的两面分别依次设有金属薄膜层、双轴织构的氧化物薄膜层以及超导薄膜层。
2.根据权利要求1所述的双面高温超导薄膜多层结构,其特征在于:所述低成本非单晶氧化物基片为硅单晶、陶瓷或耐高温玻璃基片。
3.根据权利要求2所述的双面高温超导薄膜多层结构,其特征在于:所述金属薄膜层为铁或镍薄膜层。
4.根据权利要求3所述的的双面高温超导薄膜多层结构,其特征在于:所述铁或镍薄膜层的厚度为100-1000nm;表面粗糙度小于5%。
5.根据权利要求4所述的双面高温超导薄膜多层结构,其特征在于:所述具有双轴织构的氧化物薄膜为MgO或YSZ薄膜。
6.根据权利要求5所述的双面高温超导薄膜多层结构,其特征在于:所述超导薄膜层为钇钡铜氧超导薄膜层。
7.根据权利要求6所述的双面高温超导薄膜多层结构,其特征在于:所述钇钡铜氧超导薄膜层的厚度大于300nm小于1μm。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的双面高温超导薄膜多层结构,其特征在于:在所述双轴织构氧化物薄膜层与所述超导薄膜之间设有一过渡薄膜层。
9.根据权利要求8所述的双面高温超导薄膜多层结构,其特征在于:所述过渡层薄膜为CeO2薄膜。
10.根据权利要求9所述的双面高温超导薄膜多层结构,其特征在于:所述CeO2薄膜的厚度范围50-200nm。
11.一种双面高温超导薄膜多层结构的制备方法,其步骤如下:
(1)在低成本非单晶氧化物基片的双面,以常规物理气相沉积方法制备一层金属薄膜层;
(2)用离子束辅助沉积(IBAD)工艺在步骤(1)所述金属薄膜层上分别生长一层具有双轴织构的氧化物薄膜层;
(3)在步骤(2)所述具有双轴织构的氧化物薄膜层之上以常规方法(如磁控溅射方法)分别制备一层超导薄膜层。
12.根据权利要求11所述的双面高温超导薄膜多层结构的制备方法,其特征在于:在所述步骤(2)所述具有双轴织构的氧化物薄膜层之上以常规方法分别制备一层过渡薄膜层,然后再用常规方法在所述过渡薄膜层之上分别制备一层超导薄膜层。
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