[发明专利]一种用于屏蔽强磁场的多层复合结构的磁屏蔽装置无效

专利信息
申请号: 200610113824.5 申请日: 2006-10-18
公开(公告)号: CN101166411A 公开(公告)日: 2008-04-23
发明(设计)人: 马雁云;王平;章志明;秦秀波;于润生;王宝义;魏龙 申请(专利权)人: 中国科学院高能物理研究所
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00;G12B17/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100049北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 屏蔽 磁场 多层 复合 结构 装置
【权利要求书】:

1.一种用于屏蔽强磁场的多层复合结构的磁屏蔽装置,其特征在于,采用多层复合结构,从外到内包括三层:

一硅钢部件(1),为中间层;

一合金部件(2),为内层;

一螺线管线圈(3),为外层;

将合金部件(2)置于硅钢部件(1)内部,在合金部件(2)的外部置有螺线管线圈(3)。

2.如权利1要求所述的磁屏蔽装置,其特征在于:螺线管线圈(3)、硅钢部件(1)、合金部件(2)采用圆筒结构。

3.如权利1要求所述的磁屏蔽装置,其特征在于:螺线管线圈(3)、硅钢部件(1)的两端开口,合金部件(2)一端封闭。

4.如权利1要求所述的磁屏蔽装置,其特征在于:螺线管线圈(3)与硅钢部件(1)之间有间隙。

5.如权利1要求所述的磁屏蔽装置,其特征在于:硅钢部件(1)紧贴在合金部件(2)外部。

6.如权利1要求所述的磁屏蔽装置,其特征在于:所述螺线管线圈(3)上的导线多层密绕排列,层与层之间,导线之间有绝缘层。

7.如权利1要求所述的磁屏蔽装置,其特征在于:所述合金部件(2)内直径大于被屏蔽光电倍增管外直径。

8.如权利1要求所述的磁屏蔽装置,其特征在于:所述合金部件(2)的长度与硅钢部件(1)相同且长于硅钢部件(1)直径的四倍。

9.如权利1要求所述的磁屏蔽装置,其特征在于还包括:合金部件(2)本体侧壁与前端盖(4)连接。

10.如权利1要求所述的磁屏蔽装置,其特征在于还包括::

后端盖(5)为一个活动端盖,为两层复合结构,内层为坡莫合金、外层为纯铁;

被屏蔽光电倍增管从后端盖(5)处置于合金部件(2)内部;

后端盖(5)与合金部件(2)主体尺寸配合连接;

后端盖(5)开有三个接头孔(6),用于引出被屏蔽光电倍增管信号和接入被屏蔽光电倍增管的工作高压。

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