[发明专利]一种制作纵向双栅金属－氧化物－半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制作纵向双栅金属-氧化物-半导体MOS器件的方法，其特征在于，该方法包括：

A、在绝缘体上硅SOI衬底的顶层硅表面采用离子注入技术形成N-P-N结构，其中N区高掺杂，P区低掺杂；

B、采用电子束曝光和电感耦合等离子体ICP刻蚀方法在形成的N-P-N结构的N区与P区的分界面处形成纵向深槽；

C、采用热氧化技术在形成纵向深槽的顶层硅表面形成一层氧化硅；

D、采用低压化学气相沉积技术结合正硅酸乙酯TEOS源对所述纵向深槽进行氧化硅填充；

E、在填充的氧化硅表面进行光刻，腐蚀氧化硅露出N区和P区；

F、在露出的N区和P区表面蒸发金属，通过光刻腐蚀形成电极。

2.根据权利要求1所述的制作纵向双栅MOS器件的方法，其特征在于，所述SOI衬底的顶层硅为p型低掺杂，所述步骤A包括：

对SOI衬底进行清洗，在清洗好的SOI衬底上进行普通光刻，露出需要进行N型离子注入的区域，采用刻蚀技术对顶层硅表面进行浅刻蚀，然后用光刻胶做掩模进行离子注入，形成N-P-N结构。

3.根据权利要求2所述的制作纵向双栅MOS器件的方法，其特征在于，所述采用刻蚀技术对顶层硅表面进行浅刻蚀时，刻蚀深度以能在显微镜下看到注入图形边界为标准。

4.根据权利要求3所述的制作纵向双栅MOS器件的方法，其特征在于，所述采用刻蚀技术对顶层硅表面进行浅刻蚀时，刻蚀深度为30nm。

5.根据权利要求2所述的制作纵向双栅MOS器件的方法，其特征在于，所述SOI衬底的顶层硅为非p型低掺杂，所述对SOI衬底进行清洗后进一步包括：采用大面积离子注入，对SOI衬底的顶层硅进行p型低掺杂。

6.根据权利要求1所述的制作纵向双栅MOS器件的方法，其特征在于，所述步骤A和步骤B之间进一步包括：

在形成的N-P-N结构的N区与P区的分界面处采用电子束曝光技术，将栅极图形转移到顶层硅表面，控制栅极厚度小于100nm。

7.根据权利要求6所述的制作纵向双栅MOS器件的方法，其特征在于，所述采用电子束曝光技术，将栅极图形转移到顶层硅表面具体包括：

在形成的N-P-N结构的N区与P区的分界面处烧点聚焦，调像散，然后进行电子束曝光和普通光刻套刻标记的对准，然后进行曝光，显影，将栅极图形转移到顶层硅表面。

8.根据权利要求1所述的制作纵向双栅MOS器件的方法，其特征在于，步骤B中所述纵向深槽的深宽比为1∶1。

9.根据权利要求1所述的制作纵向双栅MOS器件的方法，其特征在于，步骤C中所述形成的氧化硅的厚度为7至15nm。