[发明专利]一种硅基电光材料无效
| 申请号： | 200610114188.8 | 申请日： | 2006-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN101174034A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 赵雷;左玉华;王启明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02F1/017 | 分类号： | G02F1/017;G02F1/01 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电光 材料 | ||
1.一种硅基电光材料，其特征在于，该硅基电光材料是一种多周期结构的量子阱或超晶格材料，所述量子阱或超晶格材料的每个周期结构至少包括三个组分彼此不同的层，所述每个层含有硅或者硅和至少一种除硅以外的其它IV族元素。
2.根据权利要求1所述的硅基电光材料，其特征在于，所述量子阱或超晶格材料每个周期结构的三个层中，至少一个层采用非金属元素硼B和/或非金属元素磷P掺杂。
3.根据权利要求1所述的硅基电光材料，其特征在于，所述量子阱或超晶格材料每个周期结构的三个层中，每个层的厚度小于10nm。
4.根据权利要求1所述的硅基电光材料，其特征在于，所述除硅以外的其它IV族元素为锗，或为碳，或为锡。
5.根据权利要求1所述的硅基电光材料，其特征在于，所述硅基电光材料采用外延方法在硅衬底上外延制备，或采用涂层方法在硅衬底上涂覆制备。
6.根据权利要求5所述的硅基电光材料，其特征在于，所述外延方法包括分子束外延MBE或超高真空化学气相淀积UHV/CVD，所述涂层方法包括离子溅射、溶胶凝胶、旋涂或热处理。
7.根据权利要求1所述的硅基电光材料，其特征在于，该硅基电光材料进一步包括至少一层预先生长在硅衬底上的缓冲层结构，用于消除或者减小这种材料与硅衬底之间可能存在的晶格失配。
8.根据权利要求1或7所述的硅基电光材料，其特征在于，所述量子阱或超晶格材料结构上进一步包括至少一个表面保护层，用于消除表面效应。
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