[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置具有：半导体元件；使用第一连接材料连接在半导体元件的第一面上的支承电极；使用第二连接材料连接在上述支承电极所支承的上述半导体元件的第二面上的引线电极，其特征为，所述支承电极的连接部与所述引线电极的连接部均实施了Ni类镀敷，所述第一连接材料和所述第二连接材料是Cu6Sn5相含量比共晶组成多的Sn类钎料。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征为，所述第一连接材料和所述第二连接材料是在室温到200℃范围内含有Cu6Sn5相的Sn类钎料。

3.一种半导体装置，所述半导体装置具有：半导体元件；使用第一连接部件连接在半导体元件的第一面上的支承电极；使用第二连接部件连接在上述支承电极所支承的上述半导体元件的第二面上的引线电极，其特征为，在所述支承电极与所述第一连接部件的界面及所述第一连接部件与所述半导体元件的界面处具有Ni类镀层和Cu-Sn化合物层，在所述引线电极与所述第二连接部件的界面及所述第二连接部件与所述半导体元件的界面处具有Ni类镀层和Cu-Sn化合物层。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征为，所述支承电极与所述半导体元件之间具有热膨胀率差缓冲材料。

5.权利要求4所述的半导体装置，其特征为，所述热膨胀率差缓冲材料为Al、Mg、Ag、Zn、Cu、Ni中的任一种。

6.权利要求4所述的半导体装置，其特征为，所述热膨胀率差缓冲材料为Cu/殷钢合金/Cu复合材料、Cu/Cu₂O复合材料Cu-Mo合金、Ti、Mo、W中的任一种。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征为，所述Ni类镀敷为Ni、Ni-P、Ni-B等镀敷中的任一种。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征为，在所述Ni类镀层上进一步用Au、Ag、Pd中的至少一种实施镀敷。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征为，所述Cu-Sn化合物为Cu6Sn5。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征为，所述连接材料的形状为箔状、膏状、线状中的任一种。

11.一种车载交流发电机，其特征为，所述车载交流发电机搭载了权利要求1所述的半导体装置。

12.一种半导体装置，所述半导体装置具有：基板；通过连接部件连接在上述基板上的半导体元件，其特征为，在所述基板与所述连接部件的界面和所述连接部件与所述半导体元件的界面处具有Ni类镀层和Cu-Sn化合物层。

13.一种半导体装置，所述半导体装置具有：基板；通过连接部件连接在上述基板上的半导体元件，其特征为，在所述基板的连接面与所述半导体元件的连接面处设有Ni类镀层，所述连接材料是Cu6Sn5相的含量比共晶组成多的Sn类钎料。

14.如权利要求13所述的半导体装置，其特征为，所述Cu-Sn化合物为Cu6Sn5。

15.如权利要求13所述的半导体装置，其特征为，所述连接材料的形状为箔状、膏状、线状中的任一种。