[发明专利]柜式空调机无效

专利信息
申请号: 200610115759.X 申请日: 2006-08-16
公开(公告)号: CN101070981A 公开(公告)日: 2007-11-14
发明(设计)人: 李智炯;金晋伯;李在权;牟珍勇 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: F24F1/00 分类号: F24F1/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 郭鸿禧;李云霞
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 空调机
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种柜式空调机,尤其涉及增加吸入风量、节减用于驱动风扇的消耗功率的同时可以减小吸入空气时所产生的噪音的柜式空调机。

背景技术

现有的柜式空调机如日本公开专利“特开2004-354027”所示,包含形成其外观的外壳、设置在所述外壳上部的热交换器、位于所述热交换器下部的风道、形成在风道的空气流入口、设置在风道内部的离心式风扇、形成在所述外壳后端并与风道相邻而设置的空气吸入口。

此时,由离心式风扇的吸入作用通过空气吸入口的空气全部流动到形成在风道的空气流入口,并在离心式风扇的引导下流动到热交换器,流动到热交换器的空气进行热交换之后被再次排到外壳的外部。

此时,由于空气的吸入通道形成在空气吸入口和空气流入口之间,而且风道的空气流入口只有一个,因此所流入的空气只能集中在一个空气流入口中。

这不仅导致空气的吸入量受限制,而且进行旋转的离心式风扇所承受的负荷变大,因此旋转离心式风扇所需的消耗功率无端地增加,难以提高空调机的效率。

并且,如果离心式风扇所承受的负荷变大,则离心式风扇旋转时会产生噪音,从而在运行空调机时难以维持室内安静。

并且,吸入空气的流动通道并不是形成在包围风道的整个外壳下部空间,而只是形成在外壳的空气吸入口和风道的空气流入口之间的局部空间中,因此有必要提高外壳内部的空间利用率以提高吸入空气的流动特性。

此外,还存在运行用于驱动吸入风扇的旋转式电机时引起的自身发热问题和发热温度过高而引起的安全问题,而且还存在因旋转式电机直接结合在外壳的内壁,因此外壳所受到的冲击及振动直接被传递到旋转式电机的问题。

发明内容

本发明是为了解决如上所述的问题而提出的,其目的在于提供一种柜式空调机,通过使空气流动路径不局限于外壳内部的一部分空间,将流动路径进行分散,从而降低作用于吸入用离心式风扇的负荷的集中程度。

并且,本发明的另一目的在于通过使空气的吸入流动路径分散,从而降低由空气的集中吸入引起的噪音。

并且,本发明的另一目的在于在分散吸入流动路径的同时增大吸入流量,从而通过提高空调机的吸入效率而提高整体的操作效率。

另外,本发明的另一目的在于通过在空气的流路上设置吸入风扇的旋转式电机,使电机被所吸入的空气自然冷却,从而可以防止旋转式电机的发热引起的温度过高的现象。

并且,本发明的另一目的在于通过专门的固定装置设置吸入风扇的旋转式电机,而不是将吸入风扇的旋转式电机直接结合在外壳内部,从而最大限度地减小施加到外壳的冲击力产生的振动传递到旋转式电机的现象。

为了实现上述目的本发明所提供的柜式空调机包含外壳、设置在所述外壳内部并与所述外壳的后壁保持一定间距的风道、设置在所述风道的一个以上的流入口。

并且,还包含形成在所述外壳的后表面的第一吸入口和形成在所述外壳的前表面或侧表面的第二吸入口。

并且,所述第一吸入口设置为多个,并在所述外壳的后表面相互间隔一定间距。

并且,还包含设置在所述第一吸入口的过滤器、设置在所述第一吸入口的周边以引导所述过滤器移动的过滤器导轨和设置在所述外壳的侧表面可以在所述过滤器导轨装卸所述过滤器的过滤器设置口。

并且,所述风道内部设有可以从多个方向吸入空气的吸入风扇。

并且,所述吸入风扇由两面吸入风扇构成,所述两面吸入风扇由中心板、布置在所述中心板一侧的第一离心式风扇和布置在所述中心板另一侧的第二离心式风扇构成。

并且,所述风道的流入口包含朝向所述外壳后方而形成的第一流入口、朝向所述外壳前方而形成的第二流入口,所述第一离心式风扇朝所述第一流入口布置以吸入通过所述第一流入口的空气,所述第二离心式风扇朝向所述第二流入口以吸入通过所述第二流入口的空气。

并且,还包含与所述两面吸入风扇相结合以驱动所述两面吸入风扇的旋转式电机,所述外壳内部设置用于设置所述旋转式电机的电机支持部件。

并且,所述电机支持部件包含设置在其一端的第一固定支持部、设置在另一端的第二固定支持部以及连接所述第一固定支持部与所述第二固定支持部之间并设有用于设置所述旋转式电机的电机设置孔的连接部。

并且,所述连接部分别与所述风道及所述外壳的后壁间隔一定间距。

并且,所述第一固定支持部固定在所述外壳的后方内壁,所述第二固定支持部固定在所述外壳的下方内壁。

并且,所述外壳分离为上部外壳和下部外壳,所述吸入口形成在所述下部外壳的后表面。

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