[发明专利]一种提高氧化层厚度检测精度的装置及方法有效
| 申请号： | 200610116166.5 | 申请日： | 2006-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101150083A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 翟志刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 氧化 厚度 检测 精度 装置 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高氧化层厚度检测精度的装置，包括一个炉管，一个晶舟，数个晶片和至少一个控片，晶片和控片均排列放置在晶舟上；其特征在于：所述控片相邻的上方还设置一个挡片。
2.如权利要求1所述的提高氧化层厚度检测精度的方法，其特征在于：所述挡片上下表面均为氧化硅(SiO2)。
3.一种提高氧化层厚度检测精度的方法，包括将承载数个晶片和至少一个控片的晶舟装入炉管内；其特征在于，该方法还包括如下步骤：在装入炉管之前，每个与晶片相邻的控片上方放置一个挡片。
4.如权利要求3所述的提高氧化层厚度检测精度的方法，其特征在于：所述方法还包括炉管加热并通入含氧气体，使晶片和控片表面生长氧化层。
5.如权利要求4所述的提高氧化层厚度检测精度的方法，其特征在于：所述方法还包括炉管加热完毕后取出控片，测量每个控片上的氧化层厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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