[发明专利]等离子体约束装置

权利要求书

1.一种用于等离子体处理装置的等离子体约束装置，设置于所述等离子体处理装置的处理区域和排气区域之间，所述等离子约束装置包括：

电气接地元件；及

导电元件，所述导电元件位于所述电气接地元件上方，且二者相互电绝缘，所述导电元件设置有若干个通道，以利于所述处理区域里的用过的反应气体及副产品气体通过此通道，所述用过的反应气体及副产品气体内包括带电粒子及中性粒子，所述通道的大小被设置成当所述带电粒子通过所述通道时可以使带电粒子被中和，同时允许中性粒子通过。

2.如权利要求1所述的等离子体约束装置，进一步包括：置于所述电气接地元件和所述导电元件之间的电气绝缘层，以使所述电气接地元件和所述导电元件相互电绝缘。

3.如权利要求1所述的等离子体约束装置，进一步包括：至少一个电气绝缘隔块，定位于所述电气接地元件和所述导电元件之间，使得所述电气接地元件和所述导电元件相互电绝缘。

4.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于：在所述等离子体处理装置的处理区域中提供有射频功率发射用以激发等离子体，所述电气接地元件可以抑制射频能量发射到达所述等离子体处理装置的排气区域。

5.如权利要求2所述的等离子体约束装置，其特征在于：所述电气接地元件或所述导电元件的相邻表面至少有一部分经过表面处理形成所述的电气绝缘层。

6.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于：所述导电元件上至少在接触或靠近等离子体处理装置内的等离子体的表面涂覆有可以显著抵抗所述处理区域内产生的等离子体腐蚀的材料。

7.如权利要求2所述的等离子体约束装置，其特征在于：所述电气绝缘层经由导电元件或者电气接地元件的表面阳极化处理或者表面涂敷绝缘涂层而形成。

8.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于：所述导电元件由若干个同心环构成。

9.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于：所述导电元件包含一个板，该板上开设有通槽或穿孔以形成所述的通道。

10.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于：所述导电元件浮地。

11.如权利要求1所述的等离子体约束装置，其特征在于：所述导电元件包括第一部分和第二部分，所述第一部分和第二部分配合形成所述若干个通道。

12.一种用于等离子体处理装置的等离子体约束装置，设置于所述等离子体处理装置的处理区域和排气区域之间，所述等离子约束装置包括：

电气接地板，其具有一上表面；

电气绝缘层，至少部分地位于并覆盖所述电气接地板的上表面；

若干个相互间隔的导电元件，所述若干个导电元件互相之间电连接并设置于所述等离子体处理装置的处理区域和排气区域之间，其中至少一个所述导电元件至少部分地与所述电气绝缘层相接触。

13.如权利要求12所述的等离子体约束装置，其特征在于：所述电气接地板形成有至少一个贯通的通道，所述电气接地板具有边缘部分，所述电气绝缘层置于所述边缘部分的上表面。

14.如权利要求12所述的等离子体约束装置，其特征在于：所述若干个导电元件包含同心设置的多个环，环与环之间形成各自的通道，每一所述通道的尺寸设定为可中和通过所述通道的带电粒子而允许电中性粒子通过。

15.如权利要求12所述的等离子体约束装置，其特征在于：所述导电元件由金属制成，并随后经过阳极化处理，或者由表面涂敷有抗等离子体腐蚀涂层的金属制成。

16.如权利要求12所述的等离子体约束装置，其特征在于：所述导电元件由掺有杂质的半导体材料形成，所述杂质为能使半导体材料增加导电性能的各种元素或者各种元素的组合。

17.如权利要求12所述的等离子体约束装置，其特征在于：所述等离子体处理装置包括一形成所述处理区域的导电腔体以及一个安装在所述导电腔体上的阳极和阴极，其中所述阴极被一导电外壳所包围，所述电气接地板与所述阴极的导电外壳或与所述导电腔体相电连接。